[发明专利]栅约束硅控整流器ESD器件及其制作方法

权利要求书

1.一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于，所述ESD器件包括：

半导体衬底(80)；

生成于所述半导体衬底(80)中的N阱(60)和P阱(70)；

第一高浓度N型掺杂区(28)、第一高浓度P型掺杂区(20)置于N阱(60)上部，低浓度P型轻掺杂区(22)、第二高浓度N型掺杂区(24)、第二高浓度P型掺杂区(26)置于所述P阱(70)上部，所述低浓度P型轻掺杂区(22)一侧与所述第二高浓度N型掺杂区(24)一侧相邻接，其另一侧为所述P阱(70)的一部分；

在所述第一高浓度N型掺杂区(28)的上方、第一高浓度P型掺杂区(20)的上方、低浓度P型轻掺杂区(22)与所述第二高浓度N型掺杂区(24)相邻的部分及所述第二高浓度N型掺杂区(24)的上方、第二高浓度P型掺杂区(26)的上方分别生成金属硅化物(30)；

所述第一高浓度N型掺杂区(28)上方的金属硅化物(30)引出电极连接至电源，所述第一高浓度P型掺杂区(20)上方的金属硅化物(30)引出电极作为所述栅约束硅控整流器ESD器件的阳极，所述低浓度P型轻掺杂区(22)上方与所述第二高浓度N型掺杂区(24)的上方的金属硅化物(30)与所述第二高浓度P型掺杂区(26)上方的金属硅化物(30)相连并引出电极组成所述栅约束硅控整流器ESD器件的阴极。

2.如权利要求1所述的一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于：所述第一高浓度P型掺杂区(20)、所述N阱(60)以及所述P阱(70)构成等效PNP三极管结构。

3.如权利要求1所述的一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于：所述N阱(60)、P阱(70)与第二高浓度N型掺杂区(24)构成等效NPN三极管结构。

4.如权利要求1所述的一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于：所述第一高浓度N型掺杂区(28)左侧设置浅沟道隔离层(10)，所述第一高浓度N型掺杂区(28)、第一高浓度P型掺杂区(20)间利用所述N阱(60)隔离，在该部分N阱上方放置第一浮栅(40)，所述第一高浓度P型掺杂区(20)的右侧为所述N阱(60)的一部分，该部分N阱的宽度为A。

5.如权利要求4所述的一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于：所述第二高浓度N型掺杂区(24)、第二高浓度P型掺杂区(26)间用浅沟道隔离层(10)隔离，第二高浓度P型掺杂区(26)右侧放置浅沟道隔离层(10)，所述低浓度P型轻掺杂区(22)右侧与所述第二高浓度N型掺杂区(24)左侧相连，所述低浓度P型轻掺杂区(22)的宽度为S，所述低浓度P型轻掺杂区(22)的左侧为P阱(70)的一部分，该部分P阱的宽度为B。

6.如权利要求5所述的一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于：所述ESD器件的回滞效应特性由A、B和S共同决定，其中A为0.1～0.5um，B为0.1～0.5um，S为0.1～1um。

7.如权利要求5所述的一种栅约束硅控整流器ESD器件，其特征在于：在所述低浓度P型轻掺杂区(22)左侧上方以及与其左侧的宽度为B的P阱上方和第一高浓度P型掺杂区(20)右侧的宽度为A的N阱的上方放置第二浮栅(50)。