[发明专利]移相器及天线

权利要求书

1.一种移相器，其特征在于，包括：相对设置的第一基板和第二基板，以及位于所述第一基板和所述第二基板之间的介质层；其中，

所述第一基板包括：第一基底，设置在第一基底靠近所述介质层一侧的第一电极层；

所述第二基板包括：第二基底，设置在所述第二基底靠近所述介质层一侧的第二电极层和参考电压引入端，所述参考电压引入端与所述第二电极层连接；

所述第一电极层和所述第二电极层构成CPW传输线；

所述第一电极层和所述第二电极层中的一者包括：主体结构，以及连接在所述主体结构长度方向上的分支结构；

当所述第一电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第二电极层在所述第一基底上的正投影重叠；

当所述第二电极层包括主体结构和分支结构时，所述分支结构背离所述主体结构的一端与所述第一电极层在所述第一基底上的正投影重叠。

2.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；

所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极；所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；其中，

所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；

所述第一参考电极与所述第一分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠；

所述第二参考电极与所述第二分支结构背离所述主体结构的一端，在所述第一基底的正投影重叠。

3.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：第一主体结构和第二主体结构；所述分支结构包括：第一分支结构和第二分支结构；其中，

所述第一分支结构连接在所述第一主体结构长度方向、且靠近所述第二主体结构的一侧；所述第二分支结构连接在所述第二主体结构长度方向、且靠近所述第一主体结构的一侧；

所述参考电压引入端与所述第一主体结构和第二主体结构连接；

所述第一电极层在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一主体结构和所述第二主体结构在所述第一基底上的正投影之间；

所述第一电极层与所述第一分支结构背离所述第一主体结构的一端，以及与第二分支结构背离所述第二主体结构的一端，在所述第一基底上的正投影重叠。

4.根据权利要求3所述的移相器，其特征在于，所述第一分支结构和所述第二分支结构一一对应设置，且对应设置的第一分支结构和第二分支结构连接为一体成型结构。

5.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第二电极层包括主体结构和分支结构；其中，仅在所述主体结构长度方向、靠近所述第一电极层的一侧设置有所述分支结构，且所述分支结构靠近所述第一电极层的一端与所述第一电极层的在所述第一基底上的正投影重叠；所述参考电压引入端与所述主体结构连接。

6.根据权利要求1所述的移相器，其特征在于，所述第一电极层包括主体结构和分支结构；所述主体结构包括：沿其长度方向延伸、且相对设置第一侧和第二侧；所述分支结构包括：连接在所述主体结构第一侧的第一分支结构，以及连接在所述主体结构第二侧的第二分支结构；

所述第二电极层包括：间隔设置的第一参考电极和第二参考电极，以及连接在所述第一参考电极靠近所述第二参考电极一侧的第三分支结构，连接在所述第二参考电极靠近所述第一参考电极一侧的第四分支结构；

所述参考电压引入端与所述第一参考电极和所述第二参考电极连接；

所述主体结构在所述第一基底上的正投影，被限定在所述第一参考电极和所述第二参考电极在所述第一基底上的正投影之间；

所述第一分支结构与所述第三分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠；

所述第二分支结构与所述第四分支结构一一对应设置，且在所述第一基底的正投影至少部分重叠。