[发明专利]版图修正方法

说明书

本发明提供了一种版图修正方法，包括：获取原始版图，原始版图中包括至少两个目标图案，目标图案中包括有第一图形和第二图形，第一图形为条形结构，第一图形和第二图形连接，目标图案的第一图形的一侧或两侧设置有另一目标图案的第二图形，并且，目标图案的第二图形与另一目标图案的第二图形间隔设置；在目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个修正图形，或者，在另一目标图案中与目标图案第一图形所紧邻的边缘处，挖除至少一个图形。采用本发明提供的版图修正方法修正完成后，所制作出的掩膜版可以增加曝光的工艺窗口，有效地避免了断线或粘连等工艺缺陷，从而确保了最终形成在基底上的实际图案不会失真。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种版图修正方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，通常会基于掩膜版对半导体基底进行曝 光处理，从而将掩膜版上的图案转移到半导体基底上，以便后续通过对半 导体基底执行显影、刻蚀等步骤。

但是相关技术中，掩膜版上一般包括有多个目标图案，每个目标图案 具体包括两个图形，例如参考图1中的目标图案A，包括有第一图形A1 和第二图形A2，所述第一图形A1为长条形，以及，所述第一图形A1与 第二图形A2连接，并且，第二图形A2与第一图形A1两者的宽度相差较 大。与此同时，所述目标图案A的第一图形A1的一侧相邻设置有另一目 标图案B，并且，相邻目标图案之间的间距较小，例如图1中目标图案A 的第一图形A1与相邻的另一目标图案B的第二图形B2相距较近。

则在此基础上，基于所述掩膜版上的图案对半导体基底进行曝光时， 由于每个目标图案的第一图形的宽度较小，且与第二图形的宽度相差较大， 则光线在第二图形与第一图形的连接处极易发生光学邻近效应(Optical Proximity Effect，OPE)而导致的光能分配不均的问题，从而造成最终在基 底上形成的实际图案中的第一图形与第二图形的连接处出现断线现象；同 时，由于目标图案A的第一图形A1与另一目标图案B的第二图形B2相距较近，则会导致最终形成在半导体基底上的实际图案中第一图形A1与 第二图形B2黏连在一起，从而使得最终形成在半导体基底上的实际图形严 重失真。

因此，亟需一种合适的版图修正方法来对原始版图进行修正，补偿失 真图形的光强，以便基于修正后的版图曝光后可以有效避免断线或粘连等 工艺问题，同时改善目标图案的工艺窗口。

发明内容

本发明的目的在于提供一种版图修正方法，以制造出可以补偿失真图 形的掩膜版。

为实现上述目的，本发明提供了一种版图修正方法，所述方法包括：

获取原始版图，所述原始版图中包括至少两个目标图案，所述目标图 案中包括有第一图形和第二图形，第一图形为条形结构，所述第一图形和 所述第二图形连接，所述目标图案的第一图形的一侧或两侧设置有另一目 标图案的第二图形，并且，所述目标图案的第二图形与所述另一目标图案 的第二图形间隔设置；

在所述目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个修正图 形，以增加所述目标图案中第一图形靠近所述第二图形部分的宽度尺寸， 或者，在所述另一目标图案中与所述目标图案第一图形所紧邻的边缘处， 挖除至少一个图形，以增加所述另一目标图案与所述目标图案之间的间距。

可选的，所述第一图形与所述第二图形的连接处位于所述第二图形的 边缘部位，或者，位于所述第二图形的非边缘部位。

可选的，将所述第一图形远离所述第二图形一侧的边长的延伸方向定 义为第一方向，以及，所述第二图形在第一方向上的宽度尺寸与所述第一 图形在第一方向上的宽度尺寸之比小于等于10，大于等于5。

可选的，将所述第一图形远离所述第二图形一侧的边长的延伸方向定 义为第一方向，将所述第一图形侧边的延伸方向定义为第二方向；

以及，在所述目标图案第一图形靠近第二图形的侧边上添加至少一个 修正图形的方法包括：