[发明专利]光学临近矫正批量处理方法及其处理系统

说明书

本发明公开了一种适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理方法，分别将光学临近矫正芯片图形中的图形和标记字符选定为不同的层，将标记字符层中相邻的字符连接为整体结构，生成第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度作为标记字符前层，将图形层中相邻的多边形连接形成多边形连接结构，将各多边形连接结构填充生成的第二类矩形，根据第二预设规则调整第二类矩形的长度和宽度作为图形前层；将标记字符前层和图形前层合并为一层。本发明还公开了一种适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理系统。本发明生成的前层图形能满足前后层位置关系的要求，图形整齐美观，易于统一调试和管理。

技术领域

本发明涉及半导体领域，特别是涉及一种适用于具有多种层次和或多种尺寸光学临近矫正芯片图形的光学临近矫正批量处理方法。

背景技术

光学邻近矫正(OPC)是一种光刻增强技术，光学邻近矫正(OPC)主要在半导体芯片的生产过程中使用，目的是为了保证生产过程中设计的图形的边缘得到完整的刻蚀。这些投影图像出现违规行为，如线宽度比设计窄或宽，这些都可以通过改变掩模版来补偿成像。其他的失真,如圆角，受光学工具分辨率的制约，更加难以弥补。这些失真如果不纠正，可能大大改变生产出来的电路的电气性能。光学邻近矫正通过移动掩模版上图形的边缘或添加额外的多边形来纠正这些错误。根据宽度和间距约束即基于规则的OPC，或者是通过使用紧凑的模型动态仿真(即基于模型的OPC)的结果预先计算出一个查找表，根据这个查找表来决定怎样移动图案的边缘，找到最好的解决方案。OPC的目标是尽可能的使硅片上生产出的电路与原始的电路一致。

随着半导体制程的演进,对光学邻近矫正的要求也越来越高。在出版Mask掩模版时，OPC会搭载芯片光学邻近矫正图形OPC chip来进行缺陷测试weak point、Model verify校验模型等。在芯片光学邻近矫正图形OPC chip中，为了保证各层芯片光学邻近矫正图形OPC chip所处的前后层环境与实际晶圆wafer一致，在原有芯片光学邻近矫正图形的基础上需对各层次增加前层，Poly pattern多晶硅图形增加AA有源区前层参考图1和图2所示，接触图形CT pattern增加AA有源区和PO多晶硅前层参考图3和图4所示，过孔图形Viapattern增加金属前层Metal。目前常规方法对不同层次加前层的处理方式不同，而且即便是同一层次，不同图形的处理方式也不同。常规方法主要存在以下几个方面的缺陷：

1.加前层的形状、大小等规格不规范，产生的前层图形缺乏统一性；

2.生成前层的方法随机性很强，操作不规范，每次生成前层图形都要对生成脚本进行编辑和调试，耗时长，效率低；

3.不同形状特点的层次如多晶硅层和接触层需采用不同的脚本，不具有普适性；

4.芯片光学邻近矫正图形和标识label没有区分处理，生成的前层图形不美观。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种能保证芯片光学邻近矫正图形和实际产品具有相同的层次堆叠环境，并且能实现具有多种层次和或多种尺寸光学邻近矫正芯片图形批量处理的光学临近矫正批量处理方法。

本发明要解决的另一技术问题是提供一种能保证芯片光学邻近矫正图形和实际产品具有相同的层次堆叠环境，并且能实现具有多种层次和或多种尺寸光学邻近矫正芯片图形批量处理的光学临近矫正批量处理系统。

为解决上述技术问题，本发明提供适用于多种层次和或多种尺寸芯片图形的光学临近矫正批量处理方法，包括以下步骤：

分别将光学临近矫正芯片图形中的图形pattern和标记字符Label选定为不同的层；

将标记字符层Label中相邻的字符连接为整体结构，生成能将整体结构包围的第一类矩形，根据第一规则调整第一类矩形的长度和宽度，该第一类矩形作为标记字符前层；