[发明专利]一种硅基液晶二维阵列电压控制的方法及相关设备

权利要求书

1.一种LCoS二维阵列电压控制的方法，所述LCoS二维阵列包括多个像素集，所述多个像素集包括第一像素集和第二像素集,其特征在于，所述方法包括：

确定多个比特序列，所述多个比特序列包括第一比特序列和第二比特序列；

通过所述第一比特序列控制所述第一像素集的电压；

通过所述第二比特序列控制所述第二像素集的电压，所述第一像素集和所述第二像素集位于LCoS二维阵列端口方向上的不同相位周期，且所述第一像素集和所述第二像素集具有相同相位；所述第一比特序列和所述第二比特序列的占空比相同。

2.根据权利要求1所述方法，所述多个像素集包括第三像素集和第四像素集，所述多个比特序列包括第三比特序列，其特征在于，所述方法包括：

通过所述第三比特序列控制所述第三像素集和所述第四像素集的电压；所述第三像素集和所述第四像素集为LCoS二维阵列波长方向上的相邻像素集, 其中，所述第三像素集和所述第四像素集在端口方向上位于同一相位周期，且所述第三像素集和所述第四像素集的相位相同。

3.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一比特序列和所述第二比特序列具有一个或多个互补的比特位，和/或，所述第一比特序列和所述第二比特序列的比特位数不同。

4.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一像素集包括一个或多个像素，和/或所述第二像素集包括一个或多个像素。

5.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述第三像素集包括一个或多个像素，和/或所述第四像素集包括一个或多个像素。

6.根据权利要求1所述方法，其特征在于，所述第一比特序列和所述第二比特序列为预先配置的比特序列，或者所述第一比特序列和所述第二比特序列为实时生成的比特序列。

7.根据权利要求2所述方法，其特征在于，所述第三比特序列为预先配置的比特序列，或者所述第三比特序列为实时生成的比特序列。

8.一种硅基液晶，应用于波长开关，其特征在于，所述硅基液晶包括：

液晶层，所述液晶层包括多个像素集，所述多个像素集包括第一像素集和第二像素集；

驱动电路，用于确定多个比特序列，所述多个比特序列包括第一比特序列和第二比特序列；还用于通过所述第一比特序列控制所述第一像素集的电压，用于通过所述第二比特序列控制所述第二像素集的电压；所述第一像素集和所述第二像素集位于LCoS二维阵列端口方向上的不同相位周期，且所述第一像素集和所述第二像素集具有相同相位；所述第一比特序列和所述第二比特序列的占空比相同。

9.根据权利要求8所述硅基液晶，所述多个像素集包括第三像素集和第四像素集，所述多个比特序列包括第三比特序列，其特征在于，所述驱动电路还用于：

通过所述第三比特序列控制所述第三像素集和所述第四像素集的电压；所述第三像素集和所述第四像素集为LCoS二维阵列波长方向上的相邻像素集, 其中，所述第三像素集和所述第四像素集在端口方向上位于同一相位周期，且所述第三像素集和所述第四像素集的相位相同。

10.根据权利要求8所述硅基液晶，其特征在于，所述第一比特序列和所述第二比特序列具有一个或多个互补的比特位，和/或，所述第一比特序列和所述第二比特序列的比特位数不同。

11.根据权利要求8所述硅基液晶，其特征在于，所述第一像素集包括一个或多个像素，和/或，所述第二像素集包括一个或多个像素。

12.根据权利要求9所述硅基液晶，其特征在于，所述第三像素集包括一个或多个像素，和/或，所述第四像素集包括一个或多个像素。