[发明专利]一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池

权利要求书

1.一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，其特征在于，包括从上到下依次设置的顶部电池和底部电池，顶部电池为钙钛矿太阳电池，钙钛矿太阳电池包括从上到下依次设置的透明导电氧化物层(1)、空穴传输层(2)、钙钛矿光吸收层(3)、电子传输层(4)，底部电池为背接触无掺杂异质结太阳电池，背接触无掺杂异质结太阳电池包括从上到下依次设置的与钙钛矿太阳电池连接的透明导电氧化物复合层(5)、减反射层(6)、n-型硅衬底层(7)，n-型硅衬底层(7)底部设置有p型空穴选择层(8)、n型电子选择层(9)，p型空穴选择层(8)和n型电子选择层(9)底部设置有金属电极层(10)。

2.按照权利要求1所述的一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，其特征在于，所述钙钛矿太阳电池的透明导电氧化物层(1)为氧化铟锡层，透明导电氧化物层(1)的厚度为20-30nm，透明导电氧化物层(1)在300-1100nm的太阳光下透过率在86％-92％。

3.按照权利要求1所述的一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，其特征在于，所述背接触无掺杂异质结太阳电池的透明导电氧化物复合层(5)为氧化铟锡层，透明导电氧化物复合层(5)的厚度为40-60nm，透明导电氧化物复合层(5)在300-1100nm的太阳光下透过率在85％-90％，透明导电氧化物复合层(5)的电阻率为3.0×10^-4Ω·cm-4.0×10^-4Ω·cm。

4.按照权利要求1所述的一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，其特征在于，所述背接触无掺杂异质结太阳电池的减反射层(6)为氮化钽层，减反射层(6)使底部的背接触无掺杂异质结太阳电池的反射率在13％之内且具有电导性，减反射层(6)的厚度10-30nm。

5.按照权利要求2或3所述的一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，其特征在于，金属电极层(10)为Cu或Cu与Mo、W、Ti、Ni、Al、Mg、Ta、Sn、Ag至少之一所形成的合金，或者金属电极层(10)为Ag或Ag的合金，且背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池的正负电极都设置在背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池的背面。

6.按照权利要求1所述的一种背接触无掺杂异质结-钙钛矿叠层太阳电池，其特征在于，所述n-型硅衬底层(7)为n型单晶硅衬底或n型多晶硅衬底，n-型硅衬底层(7)的厚度为80-100um。