[发明专利]一种自发光的阵列基板及其制造方法

说明书

本发明提供一种自发光的阵列基板及其制造方法，自发光的阵列基板包括纵横交错的扫描线和数据线、位于扫描线和数据线交错处的TFT开关、与TFT开关连接的发光LED、位于TFT开关下方的第一绝缘层以及位于第一绝缘层下方的底层金属层；其中，TFT开关包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、与源极相对设置的漏极以及均与源极和漏极接触的半导体层；至少部分栅极与底层金属层重叠设置，所述栅极和底层金属层之间具有第一电容。本发明通过设置底层金属层，并使得底层金属层与栅极之间的距离减小，使得电容增加，解决了内补偿电路的自发光的阵列基板，像素无法缩小，分辨率无法提高的问题。

技术领域

本发明涉及半导体的技术领域，尤其涉及一种自发光的阵列基板及其制造方法。

背景技术

图1为现有ESL TFT器件的结构示意图，其包括位于基板10上的栅极20、覆盖栅极20的栅极绝缘层30、位于栅极绝缘层30上且位于栅极20上方的氧化物半导体层40、覆盖氧化物半导体层40的刻蚀保护层(Etching Stop Layer，ESL)50以及穿过刻蚀保护层50均与氧化物半导体层40接触的源极61和漏极62。

图2是在现有背沟道刻蚀保护型TFT器件结构的基础上，其在ESL TFT器件的基础上去除刻蚀保护层(Etching Stop Layer，ESL)，形成背沟道刻蚀(Back Channel Etching，BCE)器件，该器件具有结构简单、尺寸小等优点。

现有电流驱动型自发光显示技术，通过电压控制驱动晶体管的电流来控制发光元件的亮度，因此驱动晶体管的阈值电压(Vth)对发光元件的亮度具有较大的影响。为了克服驱动晶体管的Vth不均和Vth漂移对显示效果和显示寿命的影响，自发光显示技术通常采用具有Vth补偿功能的像素驱动电路对发光元件进行驱动，常见的像素补偿电路如图3。

图3所示为现有像素补偿电路的结构示意图，在像素补偿电路100具备驱动用TFT110、开关用TFT111～114、电容121、122、以及有机EL元件130。像素电路100与电源布线Vp、Vr、公用电极Vcom、扫描线Gi、控制线Wi、Ri、以及数据线Sj相连。其中，在电源布线Vp(第1电源布线)和公用阴极Vcom(第2电源布线)上，分别施加一定的电位VDD、VSS(其中，VDD>VSS)，在电源布线Vr(第3电源布线)上施加规定的电位Vref。公用电极Vcom成为显示装置内的所有有机EL元件130的通用电极。像素补偿电路可自由设定补偿驱动元件的阈值电压偏差的期间、在电光学元件发光过程中保持驱动元件的控制端子电位从而进行显示。

像素补偿电路通常有较多的TFT(110-114，共5个TFT)和电容(2个电容)，电容在像素内占据了很大一部分面积，导致产品分辨率无法提高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种解决像素无法缩小、分辨率无法提供的自发光的阵列基板及其制造方法。

本发明提供一种自发光的阵列基板，包括纵横交错的扫描线和数据线、位于扫描线和数据线交错处的TFT开关、与TFT开关连接的发光LED、位于TFT开关下方的第一绝缘层以及位于第一绝缘层下方的底层金属层；其中，TFT开关包括与扫描线连接的栅极、与数据线连接的源极、与源极相对设置的漏极以及均与源极和漏极接触的半导体层；至少部分栅极与底层金属层重叠设置，所述栅极和底层金属层之间具有第一电容。

优选地，还包括覆盖栅极和扫描线的栅极绝缘层，所述第一绝缘层的厚度小于栅极绝缘层的厚度。

优选地，自发光的阵列基板包括像素区域、位于像素区域外周的端子区域以及位于像素区域和端子区域之间的源漏极接触孔区域；所述底层金属层分别位于像素区域、源漏极接触孔区域和端子区域；所述端子区域内设有与栅极同层形成的第一连接电极，所述底层金属层与第一连接电极之间具有第二电容。