[发明专利]一种PID抗性高的PERC电池组件及其制备方法在审
申请号: | 201910811785.3 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN110491952A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 王岚;李忠涌;张忠文;谢毅 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(眉山)有限公司;通威太阳能(成都)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
代理公司: | 51230 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 | 代理人: | 谢建<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 620000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钝化保护膜 衬底层 折射率 钝化膜层 电池组件 依次设置 钝化层 太阳能电池技术 优化制备工艺 从上到下 扩散层 抗性 底面 顶面 膜层 排布 制备 电池 优化 | ||
1.一种PID抗性高的PERC电池组件,包括衬底层(1),其特征在于,衬底层(1)顶面从下到上依次设置有扩散层(2)、SiOx正钝化层(3)和SixNy正减反钝化保护膜层(4),衬底层(1)底面从上到下依次设置有SiOx背钝化层(6)、AlOx背钝化膜层(7)和SixNy背减反钝化保护膜层(8),SixNy正减反钝化保护膜层(4)的厚度为75-95nm,其折射率为2.08-2.13,SixNy背减反钝化保护膜层(8)的厚度为90-160nm,SixNy背减反钝化保护膜层(8)的膜层数量为至少2层,且距离衬底层(1)最近一层的折射率≥2.1,AIOx背钝化膜层(7)的厚度为2-28nm,AIOx背钝化膜层(7)的折射率为1.56-1.76。
2.根据权利要求1所述的一种PID抗性高的PERC电池组件,其特征在于,SixNy背减反钝化保护膜层(8)的厚度为100nm。
3.根据权利要求1所述的一种PID抗性高的PERC电池组件,其特征在于,SixNy背减反钝化保护膜层(8)的膜层数量为5层。
4.根据权利要求1至3中任一权利要求所述的一种PID抗性高的PERC电池组件,其特征在于,SixNy正减反钝化保护膜层(4)上表面设置有正电极(5),SixNy背减反钝化保护膜层(8)下表面设置有背电场(9),背电场(9)底部设置有背电极(10)。
5.根据权利要求4所述的一种PID抗性高的PERC电池组件,其特征在于,背电场(9)的厚度为5-30μm。
6.根据权利要求5所述的一种PID抗性高的PERC电池组件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:根据管式PECVD工艺,在衬底层(1)顶面依次制备扩散层(2)和SiOx正钝化层(3),在衬底层(1)底面制备SiOx背钝化层(6);
S2:然后在SiOx背钝化层(6)底面通过ALD工艺沉积形成AlOx背钝化膜层(7),沉积的圈数为24-36圈;
S3:然后在SiOx正钝化层(3)顶面镀膜形成SixNy正减反钝化保护膜层(4),并进行退火,退火时间为17-44min,退火温度在380-480℃;
S4:然后在AIOx背钝化膜层(7)底面镀膜形成SixNy背减反钝化保护膜层(8),并进行退火,退火时间为17-44min,退火温度在380-480℃。
7.根据权利要求6所述的一种PID抗性高的PERC电池组件的制备方法,其特征在于,还包括以下步骤:
S01:在SixNy背减反钝化保护膜层(8)底面通过532nm-1064nm的激光进行局部开槽,局部开槽区域占比0.5%-6%;
S02:在SixNy背减反钝化保护膜层(8)底面通过丝网印刷得到背电场(9);
S03:在对应局部开槽镂空区域,并在非背电场(9)区域进行丝网印刷银浆料并烘干,形成背电极(10);
S04:在SixNy正减反钝化保护膜层(4)顶面进行丝网印刷正电极(5)并烘干烧结。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的