[发明专利]抛光组合物及其使用方法

权利要求书

1.一种抛光组合物，包含：

至少一种磨料，所述至少一种磨料的量为所述组合物的0.05wt％至20wt％；

至少一种氮化物去除率降低剂，所述氮化物去除率降低剂的量为按所述组合物重量计0.1ppm至1000ppm，所述氮化物去除率降低剂包含疏水部分和亲水部分；其中，所述疏水部分包含C₁₂至C₄₀烃基，所述亲水部分包含至少一种基团，所述至少一种基团选自于由亚磺酸基、硫酸基、羧基、磷酸基团和膦酸基团组成的组；

所述至少一种氮化物去除率降低剂在所述疏水部分与所述亲水部分之间不含环氧烷基团；

酸或碱，所述酸或碱的量为所述组合物的0.01wt％至10wt％；以及

水；

其中，所述抛光组合物不含氧化剂、盐和阴离子聚合物，所述抛光组合物具有2至6.5的pH；并且当抛光包括覆盖有至少氧化硅的至少氮化硅图案的图案化晶圆时，所述抛光组合物具有至少10:1的氧化硅去除率比氮化硅去除率的比率。

2.如权利要求1的所述抛光组合物，其中，所述疏水部分包含C₁₄至C₃₂烃基团。

3.如权利要求1的所述抛光组合物，其中，所述疏水部分包含C₁₆至C₂₂烃基团。

4.如权利要求1的所述抛光组合物，其中，所述亲水部分含有磷酸基团或膦酸基团。

5.如权利要求1的所述抛光组合物，其中，所述氮化物去除率降低剂选自由以下组成的组：月桂醇磷酸酯、肉豆蔻醇磷酸酯、硬脂酰磷酸酯、磷酸正十八酯、油醇磷酸酯、磷酸二十二烷基酯、十八烷基硫酸酯、以及三十二烷基磷酸酯。

6.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述至少一种磨料选自由以下组成的组：氧化铝、二氧化硅、二氧化钛、二氧化铈、氧化锆、表面改性磨料以及其混合物。

7.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述至少一种磨料选自由以下组成的组：阳离子磨料、中性磨料以及阴离子磨料。

8.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述磨料是二氧化硅基磨料。

9.如权利要求1所述的抛光组合物，进一步包含：

至少一种凹陷降低剂；

其中，所述至少一种凹陷降低剂是含有至少一种基团的化合物，所述至少一种基团选自于由羟基、硫酸基、膦酸基团、磷酸基团、磺酸基、氨基、硝酸基团、亚硝酸基团、羧基以及碳酸基团组成的组。

10.如权利要求9所述的抛光组合物，其中，所述至少一种凹陷降低剂选自由多醣和经取代多醣组成的组的至少一种。

11.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，当抛光包括覆盖有至少氧化硅的至少氮化硅图案的图案化晶圆时，所述抛光组合物具有至少25:1的氧化硅去除率比氮化硅去除率的比率。

12.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，氧化硅比氮化硅的去除率选择性为至少100：1且至多1000：1。

13.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述组合物具有至多且至少的氧化硅凹陷。

14.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述组合物具有至多的氧化硅凹陷。

15.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述组合物具有至多且至少的氮化硅腐蚀。

16.如权利要求1所述的抛光组合物，其中，所述组合物具有至多的氮化硅腐蚀。