[发明专利]一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备方法及应用

权利要求书

1.一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)镧系配合物Eu(MAA)₃phen的制备：

将氧化铕溶解在浓盐酸中，将产物经无水乙醇洗涤后烘干得到EuCl₃·6H₂O；按照一定比例将EuCl₃·6H₂O、甲基丙烯酸MAA溶于无水乙醇中，调节pH后加入邻菲罗啉phen，收集产物即得镧系配合物Eu(MAA)₃phen；

(2)功能化SiO₂纳米微球的制备：

将一定量的正硅酸四乙酯TEOS滴加到无水乙醇中，磁力搅拌一定时间后滴加氨水NH₃·H₂O，继续搅拌适当时间后滴加KH570，密封加温磁力搅拌，将所得固体沉淀洗涤，真空干燥，即得表面功能化的SiO₂纳米微球；

(3)中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备：

以步骤(2)制备的表面功能化的SiO₂纳米微球为基底材料，超声分散至乙腈中，再加入模板分子2,4,6-三氯苯酚2,4,6-TCP、MAA和步骤(1)制备的Eu(MAA)₃phen，预组装一定时间后再加入乙二醇二甲基丙烯酸酯EGDMA和偶氮二异丁腈AIBN，避光条件下加热搅拌制得核壳型镧系荧光印迹材料，离心，洗涤，真空干燥后使用索氏提取法洗脱模板分子，将产物加入装有氢氟酸HF的聚四氟乙烯烧杯中，密封磁力搅拌溶解SiO₂纳米微球，离心，洗涤，真空干燥后即得中空半球型镧系荧光印迹传感器。

2.根据权利要求1所述的一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的EuCl₃·6H₂O：MAA：phen的用量比为1.866g:1.31mL:0.991g，pH为8.0。

3.根据权利要求1所述的一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述的TEOS：NH₃·H₂O的体积比为1.67:2.0，同时NH₃·H₂O的加入时间应控制在体系搅拌3min后，并在KH570加入前磁力搅拌24h。

4.根据权利要求1所述的一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，密封加温磁力搅拌时，温度为40℃，时间为24h。

5.根据权利要求1所述的一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，表面功能化的SiO₂纳米微球、2,4,6-TCP、MAA、Eu(MAA)₃phen、EGDMA、AIBN、氢氟酸的用量比为0.1g：0.39g：0.173g：0.186g：1.88mL：0.05g：20mL；其中，HF浓度应为0.5mL/L，反应时间为2h。

6.根据权利要求1所述的一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，预组装的时间为30min，避光条件下加热搅拌时，温度为60℃，时间为24h。

7.一种中空半球型镧系荧光印迹传感器，其特征在于，是通过权利要求1-6任一项所述的制备方法制备的。

8.根据权利要求7所述的一种中空半球型镧系荧光印迹传感器的应用，其特征在于，将其应用于在自然水体中检测痕量2,4,6-三氯苯酚。