[发明专利]显示面板以及显示装置有效
申请号: | 201910814768.5 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110459585B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | 林昶;张义波 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 以及 显示装置 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板具有异形非显示区以及显示区,所述异形非显示区包括异形边缘,所述显示区包括与所述异形边缘相邻的第一子显示区,所述显示面板包括:
衬底;
像素层,设置于所述衬底上,所述像素层包括第一像素,所述第一像素包括多个子像素,其中,所述多个子像素的至少一个包括第一遮挡部分,所述第一遮挡部分位于所述异形非显示区,所述多个子像素的任一均包括第一显示部分,所述第一显示部分位于所述第一子显示区,同一所述子像素的所述第一遮挡部分与所述第一显示部分相邻接;
封装层,设置于所述像素层背离所述衬底的一侧;
光调整层,设置于所述封装层或者设置于所述封装层背离所述衬底的一侧,所述光调整层位于所述第一子显示区,所述光调整层在所述衬底上的正投影至少部分覆盖所述第一显示部分在所述衬底上的正投影;所述光调整层包括增光层和减光层,所述增光层在所述衬底上的正投影与所述减光层在所述衬底上的正投影无交叠。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述封装层包括第一凹槽结构,所述第一凹槽结构设置于所述封装层背离所述衬底的表面,所述光调整层填充所述第一凹槽结构,
和/或,
所述显示面板还包括相位延迟层,所述相位延迟层设置于所述封装层背离所述衬底的一侧,所述相位延迟层包括第二凹槽结构,所述第二凹槽结构设置在所述相位延迟层背离所述衬底的表面,所述光调整层填充所述第二凹槽结构。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述多个子像素包括第一子像素,所述第一子像素的整个均为所述第一显示部分,所述光调整层包括增光层,所述增光层在所述衬底上的正投影与所述第一子像素在所述衬底上的正投影无交叠。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述光调整层包括减光层,所述多个子像素包括颜色不同的第一子像素、第二子像素以及第三子像素,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素的至少一个包括第一遮挡部分,所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素均包括第一显示部分;
所述减光层在所述衬底上的正投影覆盖所述第一子像素的所述第一显示部分在所述衬底上的正投影的部分;
所述减光层在所述衬底上的正投影覆盖所述第二子像素的所述第一显示部分在所述衬底上的正投影的部分;以及
所述减光层在所述衬底上的正投影覆盖所述第三子像素的所述第一显示部分在所述衬底上的正投影的部分。
5.根据权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示区还包括与所述第一子显示区相邻的第二子显示区,所述像素层还包括设置于第二子显示区的第三像素,所述第三像素包括与所述第一子像素同色的第一发光元件、与所述第二子像素同色的第二发光元件以及与所述第三子像素同色的第三发光元件;
所述第一子像素、所述第二子像素以及所述第三子像素均包括形状互补的发光区以及非发光区,所述发光区以及所述非发光区位于所述第一显示部分,所述减光层在所述衬底上的正投影覆盖所述非发光区在所述衬底上的正投影;
其中,所述第一子像素的发光区面积、所述第二子像素的发光区面积以及所述第三子像素的发光区面积形成的比例与所述第一发光元件的面积、所述第二发光元件的面积以及所述第三发光元件的面积形成的比例相同。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述像素层还包括第二像素,所述第二像素包括多个亚像素,所述多个亚像素中的至少一个包括第二显示部分,所述第二显示部分位于所述第一子显示区,所述多个亚像素中的至少一个的整个均为第二遮挡部分,所述第二遮挡部分位于所述异形非显示区;
所述显示面板还包括挡光层,所述挡光层设置于所述封装层或设置于所述封装层背离所述衬底的一侧,所述挡光层位于所述第一子显示区,其中,所述挡光层在所述衬底上的正投影覆盖同一所述第二像素的所述第二显示部分在所述衬底上的正投影。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,在所述显示面板的厚度方向上,至少部分所述挡光层与所述光调整层同层设置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的