[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

半导体装置包括：第一半导体鳍状物，自基板延伸；第一介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第一侧相邻；第二介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第二侧相邻；第一栅极堆叠部，沿着第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物及第二介电鳍状物的侧壁，并位于第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物及第二介电鳍状物上；第一外延的源极/漏极区，位于第一半导体鳍状物中，并自第一介电鳍状物延伸至第二介电鳍状物；以及气隙，位于第一外延的源极/漏极区与基板之间，且该气隙延伸于第一介电鳍状物与第二介电鳍状物之间。

技术领域

本发明的实施例关于半导体装置，还特别关于与外延的源极/漏极区相邻的气隙。

背景技术

半导体装置用于多种电子应用，比如个人电脑、手机、数码相机、与其他电子设备。半导体装置的制作方法通常为在半导体基板上依序沉积绝缘或介电层、导电层、与半导体层的材料，再采用光刻图案化多种材料层，以在半导体基板上形成电路构件与单元。

半导体产业持续缩小最小结构尺寸以改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电阻、电容、或类似物)的集成密度，以将更多构件整合至给定面积中。然而随着最小结构尺寸缩小，需解决额外产生的问题。

发明内容

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：形成半导体带于基板上；沉积牺牲层于半导体鳍状物上；沉积第一介电材料于牺牲层与基板上；移除牺牲层，并保留第一介电材料以形成第一介电鳍状物于基板上，其中第一介电鳍状物位于半导体鳍状物的第一侧上；形成第一隔离区，且第一隔离区延伸于半导体鳍状物与第一介电鳍状物之间；形成虚置栅极结构于半导体鳍状物的第一部分上；使与虚置栅极结构相邻的半导体鳍状物的第二部分凹陷，以形成第一凹陷；进行外延工艺，以形成外延的源极/漏极区于第一凹陷中，其中外延工艺形成气隙于外延的源极/漏极区与第一隔离区之间；以及沉积绝缘材料于外延的源极/漏极区上，其中沉积绝缘材料之后，保留气隙于外延的源极/漏极区与第一隔离区之间。

本发明一实施例提供的半导体装置的形成方法，包括：图案化基板，以形成半导体带；形成第一介电带与第二介电带于基板上，其中半导体带位于第一介电带与第二介电带之间；形成隔离区于半导体带与第一介电带之间以及半导体带与第二介电带之间，其中半导体带的上侧部分延伸高于隔离区的上表面；沿着半导体带的上侧部分的上表面与侧壁形成虚置结构；在半导体带的上侧部分上进行蚀刻工艺，以于半导体带中形成凹陷；以及外延成长源极/漏极区于凹陷中，其中源极/漏极区的第一部分在第一横向方向中延伸至第一介电带，而源极/漏极区的第二部分在第二横向方向中延伸至第二介电带，且第一气隙形成于源极/漏极区的第一部分与隔离区之间，而第二气隙形成于源极/漏极区的第二部分与隔离区之间。

本发明一实施例提供的半导体装置，包括：第一半导体鳍状物，自基板延伸；第一介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第一侧相邻；第二介电鳍状物，自基板延伸并与第一半导体鳍状物的第二侧相邻；第一栅极堆叠部，沿着第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物与第二介电鳍状物的侧壁，并位于第一半导体鳍状物、第一介电鳍状物与第二介电鳍状物上；第一外延的源极/漏极区，位于第一半导体鳍状物中，并自第一介电鳍状物延伸至第二介电鳍状物；以及气隙，位于第一外延的源极/漏极区与该基板之间，且气隙延伸于第一介电鳍状物与第二介电鳍状物之间。

图1为一些实施例中，鳍状场效晶体管的三维图

附图说明

图1为一些实施例中，鳍状场效晶体管的三维图。

图2与图3为一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的半导体鳍状物的中间阶段的剖视图。

图4、图5、图6、图7、图8A、图8B、图9A与图9B为一些实施例中，形成鳍状场效晶体管装置的介电鳍状物的中间阶段的剖视图。