[发明专利]一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺

权利要求书

1.一种高效单晶硅电池的氧化退火工艺，其特征在于：包括以下步骤，

1)进舟，炉管进舟后温度设定530～580℃，通入氮气10000-20000sccm，压力800～1100mbar，维持3～8min；

2)升温，温度设定680-710℃，通入氮气10000-20000sccm，压力800～1100mbar，维持10-15min；

3)炉管抽真空并检漏，温度680～710℃，压力100-150mbar，并在初始压力100-150mbar条件下漏率小于5mbar/min；

4)氧化，在压力100-150mbar，温度680-710℃下维持5-8min的氧化，氧化过程通入氮气5000-8000sccm，氧气500-1000sccm；

5)一次退火，一次退火为恒温退火，在压力100-150mbar，温度680-710℃下维持15-20min的退火并通入氮气5000-10000sccm；

6)二次退火，二次退火为降温退火，在压力100-150mbar，温度620-650℃下维持15-20min的退火并通入氮气10000-20000sccm；

7)充气回压，充氮气回至常压800～1100mbar；

8)出舟，结束工艺。