[发明专利]晶圆承载装置及采用该晶圆承载装置的晶圆清洗装置在审
申请号: | 201910815410.4 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN112447571A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 时旭 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 采用 清洗 | ||
1.一种晶圆承载装置,其特征在于,包括承载盘,所述承载盘具有承载面,所述承载面划分为中心区域及边缘区域,所述中心区域设置有第一气孔,所述边缘区域设置有第二气孔,晶圆与所述承载面之间具有气垫层,所述气垫层由气体通过所述第一气孔及所述第二气孔吹出而形成。
2.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一气孔的中心线与所述承载面的夹角为70°~90°。
3.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第一气孔的数量为8~16个。
4.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,在所述中心区域,所述第一气孔呈环形均匀分布,所述环形的中心与所述中心区域的圆心重合。
5.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述承载盘的承载面具有一凹槽,所述中心区域与所述凹槽对应,所述边缘区域与所述凹槽外围区域对应。
6.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述边缘区域包围所述中心区域,在所述边缘区域,所述第二气孔呈环形均匀分布,所述环形的中心与所述中心区域的圆心重合。
7.根据权利要求6所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第二气孔呈至少两层环形分布。
8.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述第二气孔的中心线与所述承载面的夹角为30°~60°。
9.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述承载盘的边缘设置有突出于所述承载面的挡环,所述挡环内侧壁与放置于所述气垫层上的所述晶圆的边缘具有间隙,所述间隙范围为5~10mm。
10.根据权利要求1所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述承载盘的边缘设置有限位柱,所述限位柱限位放置在所述气垫层上的所述晶圆在水平及竖直方向的移动。
11.根据权利要求10所述的晶圆承载装置,其特征在于,所述限位柱包括立柱及凸出部,所述立柱限位所述晶圆在水平方向的移动,所述凸出部限位所述晶圆在竖直方向的移动。
12.一种晶圆清洗装置,其特征在于,包括如权利要求1~11任意一项所述的晶圆承载装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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