[发明专利]一种直写式光刻机曝光方法有效

专利信息
申请号: 201910815604.4 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110597019B 公开(公告)日: 2022-04-19
发明(设计)人: 赵美云 申请(专利权)人: 合肥芯碁微电子装备股份有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 代理人: 奚华保
地址: 230088 安徽省合肥市高新区*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 直写式 光刻 曝光 方法
【权利要求书】:

1.一种直写式光刻机曝光方法,其特征在于,包括:

在曝光前,设定曝光模式为N排M列DMD曝光模式,其中M、N均为自然数且M>0,N>1;

对每个DMD的中心位置进行标定,得到每个DMD相对于坐标原点的位置信息;

根据每个DMD的位置信息,确定每个DMD对应的曝光区域,其中任意一排DMD曝光图形的总宽度为直写光刻版图的宽度,任意一列DMD曝光图形的总高度为直写光刻版图的高度;

利用各DMD进行曝光处理,并输出对应的光刻版图曝光图形;

将每个DMD与直写式精密平台进行匹配,将光刻版图呈现在曝光的基底上;

其中,所述根据每个DMD的位置信息,确定每个DMD对应的曝光区域,包括:

根据第一排DMD的位置信息,在所述光刻版图中对第一排中DMD对应的曝光区域进行划分;

根据所述第一排DMD的位置信息,在所述光刻版图中对余下第N-1排中的DMD对应的曝光区域进行划分;

在相邻排中的DMD对应的曝光区域存在交叉区域时,利用无效图对交叉区域进行填补。

2.如权利要求1所述的直写式光刻机曝光方法,其特征在于,所述每个DMD对应的曝光区域,第i排DMD的曝光区域的宽度之和为:Wi,0+Wi,1+…+Wi,m-2+Wi,m-1=W,第j列DMD的曝光区域的高度之和为:H0,j+H1,j+…+Hn-2,j+Hn-1,j=H,W为直写光刻版图宽度,H为直写光刻版图高度0≤i≤N-1,0≤j≤M-1。

3.如权利要求1所述的直写式光刻机曝光方法,其特征在于,所述相邻两排或相邻两行的DMD为对齐排布或交错排布。

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