[发明专利]一种直写式光刻机曝光方法有效
申请号: | 201910815604.4 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110597019B | 公开(公告)日: | 2022-04-19 |
发明(设计)人: | 赵美云 | 申请(专利权)人: | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人: | 奚华保 |
地址: | 230088 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直写式 光刻 曝光 方法 | ||
1.一种直写式光刻机曝光方法,其特征在于,包括:
在曝光前,设定曝光模式为N排M列DMD曝光模式,其中M、N均为自然数且M>0,N>1;
对每个DMD的中心位置进行标定,得到每个DMD相对于坐标原点的位置信息;
根据每个DMD的位置信息,确定每个DMD对应的曝光区域,其中任意一排DMD曝光图形的总宽度为直写光刻版图的宽度,任意一列DMD曝光图形的总高度为直写光刻版图的高度;
利用各DMD进行曝光处理,并输出对应的光刻版图曝光图形;
将每个DMD与直写式精密平台进行匹配,将光刻版图呈现在曝光的基底上;
其中,所述根据每个DMD的位置信息,确定每个DMD对应的曝光区域,包括:
根据第一排DMD的位置信息,在所述光刻版图中对第一排中DMD对应的曝光区域进行划分;
根据所述第一排DMD的位置信息,在所述光刻版图中对余下第N-1排中的DMD对应的曝光区域进行划分;
在相邻排中的DMD对应的曝光区域存在交叉区域时,利用无效图对交叉区域进行填补。
2.如权利要求1所述的直写式光刻机曝光方法,其特征在于,所述每个DMD对应的曝光区域,第i排DMD的曝光区域的宽度之和为:Wi,0+Wi,1+…+Wi,m-2+Wi,m-1=W,第j列DMD的曝光区域的高度之和为:H0,j+H1,j+…+Hn-2,j+Hn-1,j=H,W为直写光刻版图宽度,H为直写光刻版图高度0≤i≤N-1,0≤j≤M-1。
3.如权利要求1所述的直写式光刻机曝光方法,其特征在于,所述相邻两排或相邻两行的DMD为对齐排布或交错排布。
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