[发明专利]高可靠性多晶硅组件

权利要求书

1.一种集成电路，其包括：

半导体衬底，其包括第一导电类型的第一经掺杂层；

所述第一导电类型的第二经掺杂层，其位于所述第一经掺杂层内，所述第二经掺杂层具有掺杂剂浓度比所述第一经掺杂层大的第一层部分及第二层部分，所述第一部分与所述第二部分相对于所述衬底的表面横向间隔开；

所述第一经掺杂层的经轻掺杂部分位于所述第一层部分与所述第二层部分之间；及

介电隔离结构，其位于所述第一层部分与所述第二层部分之间且直接接触所述经轻掺杂部分。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括直接位于所述介电隔离结构上的无源栅极层级组件。

3.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述无源组件包括电阻器。

4.根据权利要求2所述的集成电路，其中所述无源组件包括多晶硅。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括在所述衬底内具有第二导电类型的经掺杂掩埋层，其中所述经轻掺杂部分位于所述介电隔离结构与所述经掺杂掩埋层之间。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括位于所述第二经掺杂层内的晶体管。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一导电类型为p型。

8.根据权利要求1所述的集成电路，其进一步包括所述第二经掺杂层内的第二介电隔离结构及位于所述第二介电隔离结构上的经电隔离导电结构。

9.一种制造集成电路的方法，其包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一导电类型及第一掺杂剂浓度的第一经掺杂层；

在所述第一经掺杂层内形成所述第一导电类型的第二经掺杂层，所述第二经掺杂层具有掺杂剂浓度比所述第一经掺杂层大的第一层部分及第二层部分，所述第一层部分与所述第二层部分相对于所述衬底的表面横向间隔开，其中所述第一经掺杂层的经轻掺杂部分位于所述第一层部分与所述第二层部分之间；及

形成在所述第一层部分与所述第二层部分之间且直接接触所述经轻掺杂部分的介电隔离结构。

10.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括直接在所述介电隔离结构上形成无源栅极层级组件。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述无源组件包括电阻器。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述无源组件包括多晶硅。

13.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括在所述衬底内形成具有第二导电类型的经掺杂掩埋层，且所述经轻掺杂部分位于所述介电隔离结构与所述经掺杂掩埋层之间。

14.根据权利要求10所述的方法，其进一步包括在所述第二经掺杂层内形成晶体管。

15.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一经掺杂层为p型。

16.根据权利要求9所述的方法，其进一步包括在所述第二经掺杂层内形成第二介电隔离结构且将经电隔离导电结构定位在第二介电区上。

17.一种方法，其包括：

产生集成电路设计的栅极层级无源组件几何形状；

产生所述电路设计的隔离层级几何形状，包含对应于所述无源组件的所述隔离层级几何形状的子集；

确定对应于隔离层级几何形状的所述子集的阱植入阻挡几何形状；及

实施光掩模，所述光掩模包含对应于所述阱植入阻挡几何形状的光学元件。