[发明专利]二级标片及其制备方法在审
申请号: | 201910816492.4 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN112447877A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 朱兰兰 | 申请(专利权)人: | 盐城阿特斯阳光能源科技有限公司;苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人: | 韩晓园 |
地址: | 224000 江苏省盐城*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 二级 及其 制备 方法 | ||
1.一种二级标片,其特征在于,包括
电池片,所述电池片包括正面主栅、位于所述正面主栅上的若干正面测试点;
测试保护片组,包括与所述若干正面测试点一一焊接的测试保护片。
2.根据权利要求1所述的二级标片,其特征在于:沿垂直于所述电池片的方向,所述测试保护片在所述正面主栅上的投影覆盖所述正面测试点。
3.根据权利要求2所述的二级标片,其特征在于:所述测试保护片在所述正面主栅上的投影与所述正面测试点一致。
4.根据权利要求1所述的二级标片,其特征在于:所述测试保护片与所述正面主栅的宽度相同。
5.根据权利要求1所述的二级标片,其特征在于:所述测试保护片为涂锡铜片;所述涂锡铜片包括厚度小于0.2mm的铜基体、厚度小于0.05mm的锡涂层,所述铜基体电阻率≤0.0165Ωmm2/m;所述涂锡铜片的抗拉强度≥25kgf/mm2。
6.根据权利要求1~5任意一项所述的二级标片,其特征在于:所述电池片还包括背面主栅、位于所述背面主栅上的若干背面测试点,所述背面测试点向外裸露。
7.一种二级标片的制备方法,其特征在于:包括如下步骤:在电池片正面主栅的若干正面测试点处一一焊接测试保护片。
8.根据权利要求7所述的二级标片的制备方法,其特征在于:所述测试保护片为涂锡铜片;所述涂锡铜片包括厚度小于0.2mm的铜基体、厚度小于0.05mm的锡涂层,所述铜基体电阻率≤0.0165Ωmm2/m;所述涂锡铜片的抗拉强度≥25kgf/mm2。
9.根据权利要求8所述的二级标片的制备方法,其特征在于:测试保护片的焊接过程为:焊接温度调整为350℃~400℃,助焊剂浸泡10min。
10.根据权利要求7所述的二级标片的制备方法,其特征在于,所述测试保护片不小于所述正面测试点。
11.根据权利要求7所述的二级标片的制备方法,其特征在于:所述测试保护片与所述正面主栅的宽度相同。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的