[发明专利]一种栅极退火及侧墙形成方法

权利要求书

1.一种栅极退火及侧墙形成方法，其特征在于，包括：

对栅极器件进行升温处理以使该栅极器件升温至预设的退火温度，并对升温处理过程中的栅极器件的栅极表面进行第一氧化处理，以生成第一厚度的栅极侧墙；

对具有第一厚度的栅极侧墙的栅极器件同时进行第二氧化处理和第一热退火处理，以使所述栅极侧墙由所述第一厚度增加至第二厚度；

对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件在氮气气氛下进行第二热退火处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对升温处理过程中的栅极器件的栅极表面进行第一氧化处理，包括：以5至10升/分钟的流量速度向升温处理过程中的栅极器件的栅极表面通入氧气。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对具有第一厚度的栅极侧墙的栅极器件进行第二氧化处理，包括：以5至10升/分钟的流量速度向所述具有第一厚度的栅极侧墙的栅极器件通入氧气。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件在氮气气氛下进行第二热退火处理，包括：以5至10升/分钟的流量速度向所述具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件通入氮气。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对栅极器件进行升温处理，包括：以5至10℃/分钟的速率使所述栅极器件由初始温度升至所述退火温度。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述退火温度的范围满足大于或者等于900℃且小于或者等于1000℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一厚度的范围满足大于或者等于15纳米且小于或者等于25纳米。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第二厚度的范围满足大于或者等于25纳米且小于或者等于35纳米。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件进行降温处理。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，对具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件进行降温处理，包括：以大于5℃/分钟的速率将所述具有第二厚度的栅极侧墙的栅极器件降温至室温。