[发明专利]显示装置、可拉伸显示面板及其制造方法有效
申请号: | 201910817741.1 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110504294B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 王小芬;李晓虎;朱海彬;王伟;隋凯;倪静凯;靳倩;刘晓云;朱小研;肖维康 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/00;H01L51/56 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 王辉;阚梓瑄 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 拉伸 显示 面板 及其 制造 方法 | ||
1.一种可拉伸显示面板,其特征在于,包括柔性衬底和所述柔性衬底上的多个像素岛和岛间连线,所述岛间连线连接相邻的所述像素岛;所述岛间连线包括:
第一外保护层,设于所述柔性衬底上;
第一内保护层,设于所述第一外保护层背离所述柔性衬底的表面,且所述第一内保护层为弹性疏水材质;
导电层,设于所述第一内保护层背离所述柔性衬底的表面的局部;
第二内保护层,覆盖所述导电层和所述第一内保护层,且所述第二内保护层为弹性疏水材质;
第二外保护层,设于所述第二内保护层背离所述柔性衬底的表面;
封装层,覆盖所述第二外保护层;
所述第一内保护层和所述第二内保护层的杨氏模量均低于所述第一外保护层和第二外保护层,所述第一外保护层和第二外保护层的杨氏模量均低于所述封装层。
2.根据权利要求1所述的可拉伸显示面板,其特征在于,所述第一内保护层和所述第二内保护层中至少一个的材料包括聚二甲基硅氧烷有机硅和聚氨酯中至少一个。
3.根据权利要求1所述的可拉伸显示面板,其特征在于,所述第一外保护层和所述第二外保护层中至少一个的材料包括聚酰亚胺和萘醌二叠氮化合物中至少一个。
4.根据权利要求1所述的可拉伸显示面板,其特征在于,所述第一内保护层和所述第二内保护层的材料相同,所述第一外保护层和第二外保护层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的可拉伸显示面板,其特征在于,所述封装层的材料包括氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中至少一个。
6.一种可拉伸显示面板的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括:
在一基板上形成柔性衬底,所述柔性衬底具有多个岛区和连接相邻的所述岛区的桥区;
在所述桥区形成第一外保护层;
在所述第一外保护层背离所述柔性衬底的表面形成弹性疏水材质的第一内保护层;
在所述第一内保护层背离所述柔性衬底的表面的局部形成导电层;
形成覆盖所述导电层和所述第一内保护层的弹性疏水材质的第二内保护层;
在所述第二内保护层背离所述柔性衬底的表面形成第二外保护层;
在所述第二外保护层背离所述柔性衬底的表面形成封装层;
将所述衬底与所述基板剥离;
所述第一内保护层和所述第二内保护层的杨氏模量均低于所述第一外保护层和第二外保护层,所述第一外保护层和第二外保护层的杨氏模量均低于所述封装层。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述制造方法还包括:
在所述岛区形成有源层;
形成覆盖所述有源层和所述岛区的栅绝缘层;
在所述栅绝缘层背离所述柔性衬底的表面形成栅极;
形成覆盖所述栅极和所述栅绝缘层的层间绝缘层;
在所述层间绝缘层背离所述柔性衬底的表面形成源极、漏极和信号线;
形成覆盖所述源极、所述漏极、所述信号线和所述层间绝缘层的发光层;
其中,所述源极、所述漏极、所述信号线和所述导电层通过同一次构图工艺形成。
8.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述第一内保护层和所述第二内保护层中至少一个的材料包括聚二甲基硅氧烷有机硅和聚氨酯中至少一个。
9.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述第一外保护层和所述第二外保护层中至少一个材料的包括聚酰亚胺和萘醌二叠氮化合物中至少一个。
10.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述第一内保护层和所述第二内保护层的材料相同,所述第一外保护层和第二外保护层的材料相同。
11.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于,所述封装层的材料包括氧化硅、氮氧化硅和氮化硅中至少一个。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的可拉伸显示面板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的