[发明专利]一种驱动背板及其制备方法、显示面板

权利要求书

1.一种驱动背板，其特征在于，包括衬底、设置于所述衬底上每个亚像素区的驱动电路；所述驱动电路包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管；

所述顶栅型薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底上的第一有源层，第一栅绝缘层和第一栅极，所述底栅型薄膜晶体管包括依次设置于所述衬底上的第二栅极、第二栅绝缘层和第二有源层；相对所述第二栅极，所述第一栅极更靠近所述衬底，且所述第一栅极和所述第二栅极通过层间绝缘层隔离。

2.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述第一有源层的材质为多晶硅，所述第二有源层的材质为氧化物半导体。

3.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述顶栅型薄膜晶体管还包括第一源极和第一漏极；所述第一源极和第一漏极与所述第二栅极同层同材料。

4.根据权利要求3所述的驱动背板，其特征在于，所述驱动电路还包括第一连接电极，所述顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管通过所述第一连接电极电连接。

5.根据权利要求4所述的驱动背板，其特征在于，所述底栅型薄膜晶体管还包括第二源极和第二漏极；所述第一连接电极与所述第二源极、所述第二漏极同层同材料。

6.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述层间绝缘层包括依次层叠设置于所述衬底上的第一层间绝缘子层和第二层间绝缘子层，所述第一层间绝缘子层位于所述衬底与所述第二层间绝缘子层之间，所述第一层间绝缘子层的材质为氮化硅或氮氧化硅，所述第二层间绝缘子层的材质为氧化硅。

7.根据权利要求6所述的驱动背板，其特征在于，所述第二层间绝缘子层和所述第二栅绝缘层的厚度之和大于等于所述第一层间绝缘层子层的厚度的3倍。

8.根据权利要求1所述的驱动背板，其特征在于，所述衬底为柔性衬底。

9.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-8任一项所述的驱动背板、以及设置于每个亚像素区的发光器件；

所述发光器件包括相对设置的第一电极和第二电极，所述第一电极设置于所述第二电极与所述驱动背板之间，所述第一电极与所述驱动背板上的驱动电路电连接。

10.根据权利要求9所述的显示面板，其特征在于，所述第一电极与作为驱动薄膜晶体管的一个顶栅型薄膜晶体管中的第一漏极相连。

11.一种驱动背板的制备方法，其特征在于，所述驱动背板包括衬底、位于所述衬底上每个亚像素区的驱动电路；所述驱动电路包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管；

所述驱动背板的制备方法，包括：

在衬底一侧依次形成构成所述顶栅型薄膜晶体管的第一有源层、第一栅绝缘层、第一栅极；

在所述第一栅极远离所述衬底的一侧形成层间绝缘层，其中，在形成所述层间绝缘层的过程中，形成至少贯穿所述层间绝缘层的第一过孔；所述第一过孔露出所述第一有源层；

在所述层间绝缘层远离所述衬底的一侧依次形成构成所述底栅型薄膜晶体管的第二栅极、第二栅绝缘层和第二有源层、第二源极和第二漏极；

其中，在形成所述第二栅极时，还同步形成第一源极和第一漏极，所述第一源极和第一漏极分别通过一个第一过孔与所述第一有源层接触。

12.根据权利要求11所述的驱动背板的制备方法，其特征在于，所述第一有源层的材质为多晶硅，所述第二有源层的材质为氧化物半导体；

在形成所述第一过孔之后，形成所述第一源极和所述第一漏极之前，所述驱动背板的制备方法还包括：向所述第一过孔中注入氢氟酸，利用所述氢氟酸对所述第一有源层的表面进行处理。

13.根据权利要求11所述的驱动背板的制备方法，其特征在于，

在形成所述第二源极和所述第二漏极时，还同步形成第一连接电极，所述第一连接电极用于连接顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管。

14.根据权利要求13所述的驱动背板的制备方法，其特征在于，在形成所述第二有源层之后，形成所述第二源极和所述第二漏极之前，所述驱动背板的制备方法还包括形成钝化层，并同步形成贯穿所述钝化层的第二过孔、贯穿所述钝化层和所述第二栅绝缘层的第三过孔；

所述第二源极和所述第二漏极分别通过一个所述第二过孔与所述第二有源层接触；

其中，所述第一连接电极通过一个所述第三过孔与所述顶栅型薄膜晶体管电连接。