[发明专利]一种过压钳位电路

权利要求书

1.一种过压钳位电路，其特征在于，包括连接NMOS功率管漏极的输入电压端和连接所述NMOS功率管源极的输出电压端，所述输出电压端通过输出电容连接接地端，所述NMOS功率管的栅极与第一电流采样NMOS管的栅极互连后分别连接电荷泵的输出端和第一运算放大器的输出端，所述电荷泵的输入端和所述第一电流采样NMOS管的漏极均连接所述输入电压端，所述第一电流采样NMOS管的通过第一分压电阻分别连接所述第一运算放大器的正输入端和第二分压电阻的一端，所述第二分压电阻的另一端连接接地端，所述第一运算放大器的负输入端连接参考电压端；

所述输出电压端通过第二补偿电阻分别连接第一补偿电流源的输入端和所述第一电流采样NMOS管的采样管输出节点，所述第一电流采样NMOS管的源极通过第一补偿电阻连接所述第一分压电阻，所述采样管输出节点位于所述第一分压电阻与所述第一补偿电阻之间，所述第一补偿电流源的输出端连接接地端。

2.根据权利要求1所述的过压钳位电路，其特征在于，所述第一电流采样NMOS管比所述NMOS功率管的面积比为1：n，n为大于1的整数。

3.根据权利要求1所述的过压钳位电路，其特征在于，所述参考电压端通过电压源连接接地端。

4.根据权利要求1所述的过压钳位电路，其特征在于，所述输出电压端连接第二运算放大器的正输入端，所述第二运算放大器的负输入端分别连接第二电流采样NMOS管的源极和第一PMOS管的源极，所述第 二电流采样NMOS管的漏极连接所述输入电压端，所述第二电流采样NMOS管的栅极连接所述NMOS功率管的栅极，所述第一PMOS管的栅极连接所述第二运算放大器的输出端。

5.根据权利要求4所述的过压钳位电路，其特征在于，所述第一PMOS管的漏极连接第一NMOS管的漏极，所述第一NMOS管的源极连接接地端，所述第一NMOS管的漏极与栅极互连后连接第二NMOS管的栅极，所述第二NMOS管的源极连接接地端，所述第二NMOS管的漏极连接所述第一电流采样NMOS管的源极。

6.根据权利要求4所述的过压钳位电路，其特征在于，所述第一电流采样NMOS管比所述第二电流采样NMOS管的面积比为1:1。

7.根据权利要求5所述的过压钳位电路，其特征在于，所述第一NMOS管比所述第二NMOS管的面积比为1:1。