[发明专利]抗静电基板及采用该抗静电基板的硅麦克风

权利要求书

1.一种抗静电基板，包括绝缘基体及贯穿所述绝缘基体的声孔，其特征在于，所述基板还包括：

导电连接层，所述导电连接层设置在所述声孔侧壁；

至少两层导电层，横向设置在所述绝缘基体中，并通过所述导电连接层电连接，在所述绝缘基体上表面，最上层导电层位于所述声孔周围的区域被暴露，形成静电传导环，在所述绝缘基体下表面，最下层导电层的部分区域被暴露，形成电接触区，所述电接触区能够通过导电装置接地；

声孔周围产生的静电能够经所述静电传导环、所述导电连接层及所述电接触区传导至接地处。

2.根据权利要求1所述的抗静电基板，其特征在于，所述绝缘基体包括设置在所述导电层之间的本体、覆盖所述最上层导电层的上阻焊层及覆盖所述最下层导电层的下阻焊层，所述最上层导电层未被所述上阻焊层覆盖的区域形成所述静电传导环，所述最下层导电层未被所述下阻焊层覆盖的区域形成所述电接触区。

3.根据权利要求1所述的抗静电基板，其特征在于，所述电接触区位于所述最下层导电层的边缘。

4.根据权利要求3所述的抗静电基板，其特征在于，所述电接触区为闭合环形。

5.根据权利要求1所述的抗静电基板，其特征在于，所述声音孔的形状为圆形或多边形。

6.根据权利要求1所述的抗静电基板，其特征在于，所述抗静电基板还包括至少一电学连接通道，所述电学连接通道纵向设置在所述绝缘基体中，所述导电层还通过所述电学连接通道电连接，声孔周围产生的静电还能够经所述静电传导环、所述电学连接通道及所述电接触区传导至接地处。

7.根据权利要求6所述的抗静电基板，其特征在于，所述电学连接通道为金属通孔或者金属盲孔。

8.根据权利要求6所述的抗静电基板，其特征在于，所述电学连接通道设置在所述电接触区与所述声孔之间。

9.根据权利要求1所述的抗静电基板，其特征在于，在所述绝缘基体的上表面，最上层导电层的部分区域被暴露，形成静电疏导区。

10.根据权利要求9所述的抗静电基板，其特征在于，所述静电疏导区设置在所述最上层导电层的边角处。

11.根据权利要求9所述的抗静电基板，其特征在于，所述静电疏导区的形状圆形或多边形。

12.根据权利要求1所述的抗静电基板，其特征在于，在所述绝缘基体的下表面，最下层导电层的部分区域被暴露，形成标识区。

13.根据权利要求12所述的抗静电基板，其特征在于，所述标识区设置在所述电接触区与所述声孔之间。

14.根据权利要求1～13任意一项所述的抗静电基板，其特征在于，在所述导电连接层、所述静电传导环、所述电接触区、所述静电疏导区及所述标识区的至少其中之一的表面具有至少一金属保护层。

15.根据权利要求14所述的抗静电基板，其特征在于，最上层的金属保护层为金层。

16.一种硅麦克风，其特征在于，包括：

外壳，所述外壳的侧壁设置有导电层，所述外壳设置有接地端，所述导电层与所述接地端电连接；

如权利要求1～15任意一项所述的抗静电基板，所述外壳与所述抗静电基板形成腔体，所述外壳侧壁的导电层与所述抗静电基板的电接触区电连接，以将所述抗静电基板的最下层导电层接地；

声学组件，设置在所述腔体内。

17.根据权利要求16所述的硅麦克风，其特征在于，所述声学组件包括MEMS芯片，所述MEMS芯片设置在所述抗静电基板上，且对应所述声孔设置。