[发明专利]波导的形成方法以及包含该波导的SF6气体无源传感器有效
申请号: | 201910818563.4 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110501781B | 公开(公告)日: | 2020-09-08 |
发明(设计)人: | 乔磊;廖志军;刘瑞;郑哲;崔文朋;池颖英;陈婷;李春晖;李纪平 | 申请(专利权)人: | 北京智芯微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;国网江西省电力有限公司;国家电网有限公司 |
主分类号: | G02B6/13 | 分类号: | G02B6/13;G02B6/122;G01N21/31 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 孙彦斌;赵莎莎 |
地址: | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 波导 形成 方法 以及 包含 sf6 气体 无源 传感器 | ||
1.一种波导的形成方法,其特征在于,包括下列步骤:
在硅衬底上生长绝缘层;
在所述绝缘层的表面旋涂光刻胶;
光刻所述光刻胶以形成波导结构;
在所述波导结构内气相淀积玻璃以形成玻璃波导层;
除去没有被光刻的所述光刻胶以及位于所述波导结构以外的所述玻璃以形成波导主体;
在所述波导主体上旋涂聚合物;
光刻所述聚合物并固化后以形成腔室支柱;以及
键合所述腔室支柱的顶部形成腔室,多个所述腔室连接形成波导。
2.如权利要求1所述的波导的形成方法,其特征在于,所述波导为螺旋形波导。
3.如权利要求2所述的波导的形成方法,其特征在于,在所述除去没有被光刻的所述光刻胶以及位于所述波导结构以外的玻璃以形成波导主体后还包括使用加热技术去除残留的水汽。
4.如权利要求1所述的波导的形成方法,其特征在于,所述绝缘层用于隔离所述硅衬底和所述玻璃。
5.如权利要求1所述的波导的形成方法,其特征在于,所述聚合物采用PDMS聚合物。
6.如权利要求1所述的波导的形成方法,其特征在于,所述光刻胶采用SU8光刻胶。
7.如权利要求1所述的波导的形成方法,其特征在于,所述除去没有被光刻的所述光刻胶以及位于所述波导结构以外的所述玻璃采用剥离技术。
8.一种SF6气体无源传感器,其包含如权利要求1所述的形成方法形成的波导,其特征在于,所述SF6气体无源传感器包括:
硅衬底;
绝缘层,其生长于所述硅衬底上,所述波导设置在所述绝缘层上;
光线输入接口,其与所述波导的一端连通;
光线输出接口,其与所述波导的另一端连通;以及
聚合物,其包覆于所述光线输入接口和光线输出接口与所述波导的连接处。
9.如权利要求8所述的SF6气体无源传感器,其特征在于,所述波导为螺旋形波导。
10.如权利要求8所述的SF6气体无源传感器,其特征在于,所述聚合物采用PDMS聚合物。
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