[发明专利]一种偏振式CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备在审
申请号: | 201910818850.5 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110504279A | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 杨鑫 | 申请(专利权)人: | OPPO广东移动通信有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/374 |
代理公司: | 11270 北京派特恩知识产权代理有限公司 | 代理人: | 崔晓岚;张颖玲<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 523860 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预设 像素单元 波长 微结构部件 偏振敏感 偏振光 排布 偏振 存储介质 光电转换 红光波长 蓝光波长 图像处理 终端设备 光波长 光吸收 入射光 读出 转换 申请 | ||
本申请实施例公开了一种偏振式CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备,该偏振式CIS包括多组像素单元集,每一组像素单元集包括在多个预设方向排布多组偏振敏感微结构部件的多个像素单元,每一个像素单元对应一个预设方向且在所述一个预设方向排布有一组偏振敏感微结构部件;多组像素单元集,用于将入射光转换为三种预设波长在多个预设方向的偏振光,并对三种预设波长在多个预设方向的偏振光进行光吸收以及光电转换,得到并读出三种预设波长在多个预设方向对应的电信号;其中,多组像素单元集对应三种尺寸的偏振敏感微结构部件,每一种尺寸的偏振敏感微结构部件对应一种预设波长的偏振光,三种预设波长包括红光波长、绿光波长和蓝光波长。
技术领域
本申请涉及图像处理技术领域,尤其涉及一种偏振式CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备。
背景技术
互补金属氧化物半导体(Complementary Metal-Oxide Semiconductor,CMOS)图像传感器(CMOS Image Sensor,CIS)具有集成度高、功耗小、速度快和成本低等特点,在高分辨率像素产品方面应用广泛。其中,CIS包括有单色偏振和彩色偏振这两种形式,而彩色偏振由于获取到的色彩更加丰富,使得彩色偏振相较单色偏振而言,生成的图像色彩更加鲜艳。
现有的偏振式CIS的结构主要包括微透镜阵列、偏振器阵列和像素阵列。这里,每个像素包括有光电二极管(Photo Diode,PD)结构,而在PD结构上放置了四个不同角度的偏振片,将每四个像素作为一个计算单元,通过不同方向偏振器之间的关联计算偏振程度和偏振方向,进而根据偏振程度和偏振方向得到偏振图像。
然而,现有的偏振式CIS的结构复杂,需要在PD结构上放置四个不同角度的偏振片,增加了偏振式CIS的工艺复杂度。
发明内容
本申请实施例提出一种偏振式CIS、图像处理方法及存储介质和终端设备,旨在降低偏振式CIS的工艺复杂度。
本申请实施例的技术方案是这样实现的:
第一方面,本申请实施例提供了一种偏振式CIS,该偏振式CIS包括多组像素单元集,每一组像素单元集包括在多个预设方向排布多组偏振敏感微结构部件的多个像素单元,所述多个像素单元中每一个像素单元对应一个预设方向且在所述一个预设方向排布有一组偏振敏感微结构部件;其中,
所述多组像素单元集,用于将入射光转换为三种预设波长在多个预设方向的偏振光,并对所述三种预设波长在多个预设方向的偏振光进行光吸收以及光电转换,得到并读出所述三种预设波长在多个预设方向对应的电信号;
其中,所述多组像素单元集对应有三种尺寸的偏振敏感微结构部件,且每一种尺寸的偏振敏感微结构部件对应一种预设波长的偏振光,所述三种预设波长包括红光波长、绿光波长和蓝光波长。
第二方面,本申请实施例提供了一种图像处理方法,应用于如第一方面所述的偏振式CIS,该方法包括:
将入射光转换为三种预设波长在多个预设方向的偏振光;
对所述三种预设波长在多个预设方向的偏振光进行光吸收以及光电转换,得到所述三种预设波长在多个预设方向对应的电信号;
读出所述三种预设波长在多个预设方向对应的电信号。
第三方面,本申请实施例提供了一种计算机存储介质,该计算机存储介质存储有图像处理程序,所述图像处理程序被至少一个处理器执行时实现如第二方面所述的方法。
第四方面,本申请实施例提供了一种终端设备,该终端设备至少包括如第一方面所述的偏振式CIS。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的