[发明专利]一种功率半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：栅极结构和多个元胞结构；

所述栅极结构包括电阻区和接线区；

接线区设有连接金属层，所述元胞结构的栅极与所述接线区的连接金属层电连接；

所述电阻区包括电阻走线、和沿所述电阻走线的延伸方向分布的多个连接焊盘，每一个所述连接焊盘与电阻走线电连接，以将所述电阻走线分隔为相互串联的多段电阻。

2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电阻区还包括基底层、第一介质层和第二介质层，所述第一介质层设在所述基底层上，所述电阻走线设在所述第一介质层上，所述第二介质层设在所述电阻走线和所述连接焊盘之间，在所述第二介质层沿所述电阻走线的方向设有多个过孔，所述连接焊盘位于所述过孔上方、且所述连接焊盘的一端穿过所述过孔与所述电阻走线电连接。

3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电阻区还包括基底层和介质层，所述介质层位于所述连接焊盘上方，所述介质层上设有多个镂空部，所述镂空部与所述连接焊盘一一对应设置，打线穿过所述镂空部与其对应的连接焊盘连接。

4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述电阻走线的材料为经掺杂处理后的多晶硅材料。

5.一种功率半导体器件的制作方法，其特征在于，包括以下的步骤；

在基层上形成有电阻层，并通过构图工艺形成电阻走线；

在电阻层上形成金属层，并通过构图工艺形成位于电阻区内的多个连接焊盘、以及位于接线区的连接金属层，多个所述连接焊盘沿所述电阻走线延伸方向分布，且每一个所述连接焊盘与电阻走线电连接，以将所述电阻走线分隔为相互串联的多段电阻。

6.根据权利要求5所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述电阻层之前还包括：

在基层上沉积有介质层。

7.根据权利要求5所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，在形成所述电阻走线之后、且在电阻层上形成金属层之前还包括：

在电阻层上沉积有介质层，并对介质层进行构图工艺，以形成沿所述电阻走线延伸方向分布、且与所述连接焊盘一一对应的多个过孔。

8.根据权利要求5所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述基层为半导体硅外延硅片或区熔法生长的单晶硅片。

9.根据权利要求5所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在基层上形成有电阻层，包括：

在基层上形成多晶硅层；

对多晶硅层进行掺杂以形成所述电阻层。

10.根据权利要求5所述的功率半导体器件的制作方法，其特征在于，所述在电阻层上形成金属层，包括：

通过溅射工艺或者蒸镀工艺形成所述金属层。