[发明专利]一种压电传感器的信号校正方法及电子设备有效

专利信息
申请号: 201910818954.6 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110617914B 公开(公告)日: 2022-01-11
发明(设计)人: 徐新余;田欣;余恺;姚建江;廖宗勐 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F3/01 分类号: G06F3/01;G01L25/00;G01L1/26;G01L1/16
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 姚琼
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 压电 传感器 信号 校正 方法 电子设备
【权利要求书】:

1.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括处理器和压电按键,所述压电按键中包括第一压电陶瓷,所述第一压电陶瓷的正电极和负电极分别与所述处理器相连;其中,

响应于用户作用于所述压电按键的按压操作,所述处理器获取所述压电按键中所述第一压电陶瓷产生的电压信号V1;

所述处理器去除所述电压信号V1中因热释电效应产生的电压信号V(s1),得到校正后的电压信号V’,包括:所述处理器使用高通滤波器将所述电压信号V1中低于截止频率f的频率分量滤除,得到校正后的电压信号V’;

若检测到用户按压所述压电按键的按压速度小于阈值,则所述处理器将所述截止频率f设置为第一取值;或者,

若检测到用户按压所述压电按键的按压速度大于阈值,则所述处理器将所述截止频率f设置为第二取值,所述第二取值大于所述第一取值;

所述处理器根据所述电压信号V’识别所述按压操作。

2.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括与所述处理器相连的温度传感器,所述温度传感器靠近所述第一压电陶瓷,所述温度传感器用于采集所述第一压电陶瓷的温度信号T;

其中,所述处理器去除所述电压信号V1中因热释电效应产生的电压信号V(s1),得到校正后的电压信号V’,包括:

所述处理器根据所述温度信号T计算因热释电效应产生的电压信号V(s1);

所述处理器计算校正后的电压信号V’,电压信号V’=电压信号V1-电压信号V(s1)。

3.根据权利要求2所述的电子设备,其特征在于,所述处理器根据所述温度信号T计算因热释电效应产生的电压信号V(s1),包括:

所述处理器按照预设公式计算因热释电效应产生的电压信号V(s1);所述预设公式为:V(s1)=R*A*P*dT/dt;

其中,R为所述第一压电陶瓷的等效阻值;A为所述第一压电陶瓷的极化面积;P为所述第一压电陶瓷的极化强度;dT/dt为所述温度信号T随时间的变化率。

4.根据权利要求2或3所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括基材;

所述第一压电陶瓷与所述温度传感器设置在所述基材的一侧;

其中,所述温度传感器为热敏电阻、半导体芯片或惠斯顿电桥。

5.根据权利要求1所述的电子设备,其特征在于,所述电子设备还包括与所述处理器相连的温度传感器和温度补偿装置,所述温度传感器和所述温度补偿装置均靠近所述第一压电陶瓷;

所述温度传感器用于采集所述第一压电陶瓷的温度信号T;

所述温度补偿装置用于改变所述第一压电陶瓷的温度信号T;

其中,所述处理器去除所述电压信号V1中因热释电效应产生的电压信号V(s1),得到校正后的电压信号V’,包括:

所述处理器根据所述温度信号T控制所述温度补偿装置对所述第一压电陶瓷进行温度补偿,以去除因热释电效应产生的电压信号V(s1);

所述处理器获取所述第一压电陶瓷经温度补偿后产生的电压信号V1’,所述V1’为校正后的电压信号V’。

6.根据权利要求5所述的电子设备,其特征在于,所述处理器根据所述温度信号T控制所述温度补偿装置对所述第一压电陶瓷进行温度补偿,包括:

当所述温度信号T高于预设温度时,所述处理器控制所述温度补偿装置对所述第一压电陶瓷进行散热;或,

当所述温度信号T小于预设温度时,所述处理器控制所述温度补偿装置对所述第一压电陶瓷进行加热。

7.根据权利要求5或6所述的电子设备,其特征在于,

所述温度补偿装置为散热片、加热片或基于芯片控制的温度控制单元;或者,

所述温度传感器为热敏电阻、半导体芯片或惠斯顿电桥。

8.根据权利要求7所述的电子设备,其特征在于,所述温度补偿装置为N个加热片,所述N个加热片设置在所述第一压电陶瓷的四周。

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