[发明专利]具有低比导通电阻的槽型器件及其制造方法

权利要求书

1.一种具有低比导通电阻的槽型器件，其特征在于：包括第一导电类型衬底（152），第一导电类型漂移区（111），第一导电类型源极接触区（151），第二导电类型阱区（122），第二导电类型源端接触区（121），源极金属接触（130），第一介质氧化层（141），第二介质氧化层（142），第三介质氧化层（143），第四介质氧化层（144），控制栅多晶硅电极（131）、分离栅多晶硅电极（132）；

第一导电类型漂移区（111）位于第一导电类型衬底（152）上方，第二导电类型阱区（122）位于第一导电类型漂移区（111）上方，第一导电类型源极接触区（151）位于第二导电类型阱区（122）上方，源极金属接触（130）将第二导电类型源端接触区（121）和第一导电类型源极接触区（151）短接；由第一介质氧化层（141）、第二介质氧化层（142）、第三介质氧化层（143）、第四介质氧化层（144）和控制栅多晶硅电极（131）、分离栅多晶硅电极（132）组成的槽型结构位于第一导电类型漂移区（111）中，其中第一介质氧化层（141）、第二介质氧化层（142）、第三介质氧化层（143）包围着控制栅多晶硅电极（131），第三介质氧化层（143）、第四介质氧化层（144）包围着分离栅多晶硅电极（132），第三介质氧化层（143）位于控制栅多晶硅电极（131）和分离栅多晶硅电极（132）的中间；所述槽型结构分为深槽结构（170）以及Z方向相邻深槽结构（170）之间的浅槽结构，二者在Z方向交替分布，Z方向为每一列槽型结构的延伸方向；深槽结构（170）与浅槽结构的区别在于：深槽结构（170）的第四介质氧化层（144）和分离栅多晶硅电极（132）的深度，分别大于浅槽结构的第四介质氧化层（144）和分离栅多晶硅电极（132）的深度；沿着与Z方向垂直的Y方向，深槽结构不连续。

2.根据权利要求1所述的一种具有低比导通电阻的槽型器件，其特征在于：第一导电类型是N型，第二导电类型是P型；或者第一导电类型是P型，第二导电类型是N型。

3.权利要求1所述的一种具有低比导通电阻的槽型器件的制造方法，其特征在于包括如下步骤：

步骤1：根据第一导电类型衬底（152）外延第一导电类型漂移区（111）；

步骤2：通过多次刻蚀，形成Z方向上深浅交替的深槽结构和浅槽结构；

步骤3：在所有刻蚀槽内形成第四介质氧化层（144）；

步骤4：淀积多晶硅并刻蚀，形成分离栅多晶硅电极（132）；

步骤5：通过淀积氧化层并刻蚀，形成控制栅多晶硅电极与分离栅多晶硅电极之间的第三介质氧化层（143），再通过热生长形成第二介质氧化层（142）；

步骤6：淀积多晶硅并刻蚀，形成控制栅多晶硅电极（131）；

步骤7：通过高能离子注入第二导电类型半导体杂质并推结，形成第二导电类型阱区（122），再通过高能离子注入第一类导电类型半导体杂质，形成第一导电类型源极接触区（151）；

步骤8：形成表面第一介质氧化层（141），再刻蚀第一介质氧化层（141）与半导体材料，形成源极接触槽；

步骤9：利用自对准工艺，通过离子注入，形成第二导电类型源端接触区（121），并淀积金属及CMP，形成源极金属接触（130）。

4.根据权利要求3所述的一种具有低比导通电阻的槽型器件的制造方法，其特征在于：步骤2进一步为：

2.1：进行一次硅刻蚀，形成浅槽，并填充介质氧化层；

2.2：对需要刻蚀深槽的区域进行光刻，然后刻蚀介质氧化层，然后进行第二次硅刻蚀，形成深槽；

2.3：去除所有的介质氧化层，形成Z方向上交替分布的深槽结构和浅槽结构。