[发明专利]一种高强度导热IGBT芯片及其加工工艺与加工装置

权利要求书

1.一种高强度导热IGBT芯片，其特征在于，包括基板、导热胶、芯片本体和二极管芯片，所述基板的上表面通过导热胶与芯片本体和二极管芯片连接；

该IGBT芯片通过下述步骤制备得到：

首先将导热胶加入到压合设备的点胶机中，并通过第一输送带输送芯片本体，第二输送带输送基板，第三输送带输送二极管芯片，基板从豁口进入到第一滑轨上，第一气缸通过推板推动基板移动，基板到达鼓风机正下方时，鼓风机清理基板表面灰尘，然后输送到点胶机正下方，点胶机进行点胶，点胶的同时，热风机通过导热管对基板进行加热，然后输送到第一吸取机构下方，第一吸取机构将第三输送带输送的二极管芯片吸取并放在基板上，输送到第二吸取机构时，第二吸取机构将第一输送带输送的芯片本体吸取并放在基板上，最后由挤压机构将芯片本体和二极管芯片挤压在基板上，自然冷却固定后输送到收集箱中。

2.一种高强度导热IGBT芯片的加工工艺,其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、基板的制备：按重量份计，将100-150份碳化硅颗粒预处理后制成预制块，然后将预制块放入模具中压制烧结成型，加热至600℃；将100-150份铝合金加热制成铝溶液并保温30分钟后加入到模具中，采用100T的压机压力渗透铝液至碳化硅颗粒缝隙中；待模具冷却后脱模成型，得到基板；

步骤二、导热胶的制备:

A、按重量份计，称取聚乙烯醇缩丁醛80-100份、丙烯酸树脂45-60份、乙酰化二淀粉磷酸酯25-38份、磷酸铁粉2-8份、导电云母粉3-9份、四针状氧化锌晶须4-8份、氧化镁2-6份、二辛基锡4-11份、莫来石2-5份、黏土1-3份、2-巯基苯并噻唑16-28份、氯化石蜡5-10份、固化剂6-15份、偶联剂8-17份和复合相容剂6-15份；将莫来石和黏土置于球磨罐中球磨1-3h，然后过150目筛备；

B、将氧化镁、导电云母粉、磷酸铁粉、四针状氧化锌晶须和步骤A中的过筛物置于混料罐中，混合搅拌均匀，然后向混料罐中加入偶联剂，继续搅拌均匀，得到混合料；

C、将聚乙烯醇缩醛、丙烯酸树脂和乙酰化二淀粉磷酸酯置于搅拌罐中，加热至50-80℃，搅拌0.5-2h，然后向搅拌罐中依次投入2-巯基苯并噻唑、二辛基锡、复合相容剂和步骤B中的混合料，搅拌1-3h后自然冷却至室温；

D、最后将氯化石蜡和固化剂投入到搅拌罐中，搅拌均匀后真空脱泡，即得所需的导热胶；

步骤三、IGBT芯片的制备：首先将导热胶加入到压合设备的点胶机中，并通过第一输送带输送芯片本体，第二输送带输送基板，第三输送带输送二极管芯片，基板从豁口进入到第一滑轨上，第一气缸通过推板推动基板移动，基板到达鼓风机正下方时，鼓风机清理基板表面灰尘，然后输送到点胶机正下方，点胶机进行点胶，点胶的同时，热风机通过导热管对基板进行加热，然后输送到第一吸取机构下方，第一吸取机构将第三输送带输送的二极管芯片吸取并放在基板上，输送到第二吸取机构时，第二吸取机构将第一输送带输送的芯片本体吸取并放在基板上，最后由挤压机构将芯片本体和二极管芯片挤压在基板上，自然冷却固定后输送到收集箱中。