[发明专利]一种玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法

权利要求书

1.一种玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，包括：在玻璃陶瓷原料中加入粒径≤100nm的高纯氧化锆；

所述玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法还包括：将所述玻璃陶瓷原料和所述高纯氧化锆混合均匀后沉降干燥至硬化结块，对干燥后的物料进行沸腾熔制，将沸腾熔制后的液体物料置于成型模具中成型得到样品块，然后对所述样品块进行热处理以使成核析晶；

所述沉降干燥的温度为90-100℃，所述沉降干燥的时间为5-10h。

2.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，高纯氧化锆的平均粒径为40-60nm；所述高纯氧化锆的纯度≥99.9％。

3.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，玻璃陶瓷的原料包含有如下质量份数比的组分：30-80份的SiO₂、20-45份的Li₂CO₃、1-15份的碱金属盐、1-10份的Al(OH)₃和0-10份的稀土氧化物，同时加入的高纯氧化锆的质量份数是1-10份。

4.根据权利要求3所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，所述高纯氧化锆、SiO₂、Li₂CO₃、碱金属盐、Al(OH)₃和稀土氧化物的质量份数比是：1-5份的高纯氧化锆、48-60份的SiO₂、28-32份的Li₂CO₃、4.8-8份的碱金属盐、2-5份的Al(OH)₃和0-10份的稀土氧化物。

5.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，所述对样品块进行热处理以使成核析晶的过程具体包括：

A1、成核阶段：在450-550℃下保温5-15min；

A2、析晶阶段：升温至600-700℃，并在600-700℃下保温15-60min；

A3、完全结晶阶段：升温至820-880℃，并在820-880℃下保温10-30min。

6.根据权利要求5所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，在A2和A3步骤中，升温速率控制在50-90℃/min。

7.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，所述对干燥后的物料进行沸腾熔制的过程具体包括：

B1、第一阶段：将沉降干燥后的物料投入至温度1200℃-1250℃的熔制器具中；

B2、第二阶段：升温至1300-1400℃，并在1300-1400℃下保温2-4h；

B3、第三阶段：升温至1500-1600℃，并在1500-1600℃下保温2-6h；

B4、从第三阶段的1500-1600℃降温至第二阶段的1300-1400℃；重复第二阶段和第三阶段。

8.根据权利要求7所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，在B2步骤中，升温速率控制在10-20℃/min；在B3步骤中，升温速率控制在20-40℃/min；在B4步骤中，从第三阶段降温至第二阶段的降温速率控制在25-35℃/min。

9.根据权利要求1所述的玻璃陶瓷的均匀析晶控制方法，其特征在于，利用球磨机将玻璃陶瓷原料和高纯氧化锆混合均匀，混合均匀后沉降干燥时的干燥温度控制在90-100℃。