[发明专利]显示器结构在审
| 申请号： | 201910821292.8 | 申请日： | 2019-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN110690258A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 李朝 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光反射层 发光元件层 反射金属层 透明阳极层 封装层 阴极层 反射 显示器结构 阴极保护层 出光效率 发光类型 光学性能 水氧阻隔 阵列层 水氧 | ||
1.一种显示器结构，其特征在于：所述显示器结构包含：
一阵列层；
一透明阳极层，设置于所述阵列层上；
一发光元件层，设置于所述透明阳极层上；
一光反射层，设置于所述发光元件层上，其中所述光反射层依序包含一反射阴极层、一阴极保护层及一反射金属层；及
一封装层，设置于所述光反射层上。
2.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于：所述封装层包含：
一第一氮化硅层，设置于所述反射金属层上；
一聚甲基丙烯酸甲酯层，设置于所述第一氮化硅层上；及
一第二氮化硅层，设置于所述聚甲基丙烯酸甲酯层上。
3.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于：所述反射阴极层由一第一高反射率金属材料构成，所述反射阴极层具有一厚度为50至100纳米；以及所述反射金属层由一第二高反射率金属材料构成，所述反射金属层具有一厚度为100至500纳米且具有一反射率为95％以上。
4.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于：所述阴极保护层为一氟化锂层，具有一厚度为50至100纳米。
5.如权利要求1所述的显示器结构，其特征在于：所述发光元件层为一底出光型發光元件层。
6.一种显示器结构，其特征在于：所述显示器结构包含：
一阵列基板；
一透明阳极层，设置于所述阵列基板上；
一发光元件层，设置于所述透明阳极层上；
一阴极层，设置于所述发光元件层上；
一阴极保护层，设置于所述阴极层上；
一反射金属层，设置于所述阴极保护层上；及
一封装层，设置于所述反射金属层上。
7.如权利要求6所述的显示器结构，其特征在于：所述封装层包含：
一第一氮化硅层，设置于所述反射金属层上；
一聚甲基丙烯酸甲酯层，设置于所述第一氮化硅层上；及
一第二氮化硅层，设置于所述聚甲基丙烯酸甲酯层上。
8.如权利要求6所述的显示器结构，其特征在于：所述阴极层由一第一高反射率金属材料构成，所述阴极层具有一厚度为50至100纳米；以及所述反射金属层由一第二高反射率金属材料构成，所述反射金属层具有一厚度为100至500纳米且具有一反射率为95％以上。
9.如权利要求6所述的显示器结构，其特征在于：所述阴极保护层为一氟化锂层，具有一厚度为50至100纳米。
10.如权利要求6所述的显示器结构，其特征在于：所述发光元件层为一底出光型發光元件层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
