[发明专利]一种一低三高多端口基站天线

权利要求书

1.一种一低三高多端口基站天线，包括底板（1），所述底板（1）的两侧设有反射板一（21），其特征在于：所述底板（1）上设有低频辐射天线阵列、高频辐射天线阵列一、高频辐射天线阵列二和高频辐射天线阵列三，所述低频辐射天线阵列包括若干个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二（5），所述高频辐射天线阵列三包括若干个高频振子三（6），所述低频振子（3）和高频振子一（4）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）中央，部分所述高频振子一（4）嵌入低频振子（3）；所述高频振子二（5）和高频振子三（6）分别阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，所述高频辐射天线阵列二和高频辐射天线阵列三均匀分布在低频辐射天线阵列两侧。

2.如权利要求1所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列包括5-10个低频振子（3），所述高频辐射天线阵列一包括5-10个高频振子一（4），所述高频辐射天线阵列二包括5-10个高频振子二（5），所述高频辐射天线阵列三包括5-10个高频振子三（6）。

3.如权利要求2所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列的中心频率为f1，所述反射板一（21）的长度等于底板（1）长度，为d1，高度为h1，所述h1为f1的0.1-0.18倍波长。

4.如权利要求3所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列一的中心频率为f2，至少一个所述高频振子一（4）的两侧设有反射板二（22），所述反射板二（22）的长度为d2，高度为h2，所述d2为f2的0.6-0.8倍波长，h2为f2的0.13-0.19倍波长。

5.如权利要求4所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f3，至少一个所述高频振子二（5）的两侧设有反射板三（23），所述反射板三（23）的长度为d3，高度为h3，所述d3为f3的0.6-0.8倍波长，h3为f3的0.13-0.19倍波长。

6.如权利要求5所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列三的中心频率为f4，至少一个所述高频振子三（6）的两侧设有反射板四（24），所述反射板四（24）的长度为d4，高度为h4，所述d4为f4的0.6-0.8倍波长，h4为f4的0.13-0.19倍波长。

7.如权利要求6所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列的两侧设有反射板五（25），所述反射板五（25）分别位于反射板二（22）与反射板三（23）之间以及反射板二（22）与反射板四（24）之间，所述反射板五（25）的长度为d5，高度为h5，所述d5大于等于低频辐射天线阵列的长度，h5为f1的0.1-0.18倍波长。

8.如权利要求7所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：至少一个所述高频振子二（5）沿高频辐射天线阵列二的中心线向靠近或远离低频辐射天线阵列的方向偏移一定距离d6，所述d6为f3的0-0.2倍波长；至少一个所述高频振子三（6）沿高频辐射天线阵列三的中心线向靠近或远离低频辐射天线阵列的方向偏移一定距离d7，所述d7为f4的0-0.2倍波长。

9.如权利要求1所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述相邻两个高频振子一（4）的中心之间的距离为a2，所述a2为f2的0.75-0.95倍波长，所述相邻两个高频振子二（5）的中心之间的距离为a3，所述a3为f3的0.75-0.95倍波长，所述相邻两个高频振子三（6）的中心之间的距离为a4，所述a4为f4的0.75-0.95倍波长，所述相邻两个低频振子（3）的中心之间的距离为a1，所述a1为a2的两倍。

10.如权利要求1所述的一低三高多端口基站天线，其特征在于：所述低频振子（3）为低频超宽频“碗状”形式的铝合金压铸振子；所述高频振子一（4）、高频振子二（5）和高频振子三（6）均为高频段超宽频“半波”形式的铝合金压铸振子。