[发明专利]一种两低两高多端口基站天线

权利要求书

1.一种两低两高多端口基站天线，包括底板（1），所述底板（1）的两侧分别设有反射板一（21）和反射板二（22），其特征在于：所述底板（1）上设有彼此平行或重叠的低频辐射天线阵列一、低频辐射天线阵列二、高频辐射天线阵列一和高频辐射天线阵列二，所述低频辐射天线阵列一包括若干个低频振子一（31），所述低频辐射天线阵列二包括若干个低频振子二（32），所述高频辐射天线阵列一包括若干个高频振子一（41），所述高频辐射天线阵列二包括若干个高频振子二（42），所述低频振子一（31）和高频振子一（41）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板一（21），部分所述高频振子一（41）嵌入低频振子一（31）；所述低频振子二（32）和高频振子二（42）阵列成一条直线，等距分布在底板（1）上，靠近反射板二（22），部分所述高频振子二（42）嵌入低频振子二（32）。

2.如权利要求1所述的两低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列一包括5-10个低频振子一（31），所述低频辐射天线阵列二包括5-10个低频振子二（32），所述高频辐射天线阵列一包括5-10个高频振子一（41），所述高频辐射天线阵列二包括5-10个高频振子二（42）。

3.如权利要求2所述的两低两高多端口基站天线，其特征在于：所述低频辐射天线阵列一的中心频率为f1，所述反射板一（21）的长度等于底板（1）长度，为d1，高度为h1，所述h1为f1的0.08-0.15倍波长；所述低频辐射天线阵列二的中心频率为f2，所述反射板二（22）的长度等于底板（1）长度，为d1，高度为h2，所述h2为f2的0.08-0.15倍波长。

4.如权利要求3所述的两低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列一的中心频率为f3，至少一个所述高频振子一（41）的两侧设有反射板三（23），所述反射板三（23）的长度为d3，高度为h3，所述d3为f3的0.65-0.78倍波长，h3为f3的0.13-0.22倍波长；每组两个所述反射板三（23）的间距为b1，所述b1为f3的0.65-0.96倍波长。

5.如权利要求4所述的两低两高多端口基站天线，其特征在于：至少一组所述反射板三（23）沿高频辐射天线阵列一的中心线向中间或两侧移动至间距达到b2，所述b2与b1的差值的绝对值为f3的0-0.2倍波长。

6.如权利要求4所述的两低两高多端口基站天线，其特征在于：所述高频辐射天线阵列二的中心频率为f4，至少一个所述高频振子二（42）的两侧设有反射板四（24），所述反射板四（24）的长度为d4，高度为h4，所述d4为f4的0.65-0.78倍波长，h4为f4的0.13-0.22倍波长；每组两个所述反射板四（24）的间距为b3，所述b3为f4的0.65-0.96倍波长。

7.如权利要求6所述的两低两高多端口基站天线，其特征在于：至少一组所述反射板四（24）沿高频辐射天线阵列一的中心线向中间或两侧移动至间距达到b4，所述b4与b3的差值的绝对值为f4的0-0.2倍波长。

8.如权利要求6所述的两低两高多端口基站天线，其特征在于：所述底板（1）中央设有反射板五（25），所述反射板五（25）的两侧均设有反射面，与低频辐射天线阵列一对应的所述反射面的长度为d5，高度为h5，所述d5为低频振子一（31）的数量乘以f1的1倍波长，所述h5为f1的0.08-0.15倍波长；与低频辐射天线阵列二对应的所述反射面的长度为d6，高度为h6，所述d6为低频振子二（32）的数量乘以f2的1倍波长，所述h6为f2的0.08-0.15倍波长。