[发明专利]测试存取端口电路有效
申请号: | 201910821563.X | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN112445663B | 公开(公告)日: | 2022-05-03 |
发明(设计)人: | 陈月峰 | 申请(专利权)人: | 瑞昱半导体股份有限公司 |
主分类号: | G06F11/22 | 分类号: | G06F11/22;G06F11/263 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 王红艳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 存取 端口 电路 | ||
1.一种测试存取端口电路,包含:
一数据输入端;
一数据输出端;
一重置端;
一模式选择端;
至少一测试数据缓存器组;
一第一辅助数据缓存器组;
一指令缓存器组;及
一控制器,耦接于该模式选择端及该指令缓存器组,用以根据该模式选择端所接收的至少一模式选择信号控制该至少一测试数据缓存器组、该第一辅助数据缓存器组,及该指令缓存器组;
其中:
在一重置端输入模式下,当该控制器控制该至少一测试数据缓存器组中的一第一测试数据缓存器组储存该数据输入端所接收的一第一输入数据位时,该第一辅助数据缓存器组储存该重置端所接收的一第二输入数据位。
2.根据权利要求1所述的测试存取端口电路,还包含:
一路径选择电路,具有一第一输入端耦接于该重置端,一第二输入端用以接收一默认电压,一输出端用以输出一重置信号或该默认电压至该控制器,及一控制端;及
一第一模式缓存器组,耦接于该控制器及该路径选择电路的该控制端;
其中:
在一外部重置模式下,该控制器根据该重置端所接收的该重置信号重置该控制器;
该控制器还用以在该第一模式缓存器组中写入一第一数值使该路径选择电路建立该路径选择电路的该第一输入端及该输出端的一电性连接,以使该测试存取端口电路进入该外部重置模式;
该控制器还用以在该第一模式缓存器组中写入一第二数值使该路径选择电路建立该路径选择电路的该第二输入端及该输出端的一电性连接,以使该测试存取端口电路进入该重置端输入模式;及
该至少一测试数据缓存器组中的每一测试数据缓存器组包含多个串接的移位寄存器。
3.根据权利要求2所述的测试存取端口电路,其中,该控制器包含一有限状态机,用以根据该至少一模式选择信号对该指令缓存器组写入一预定数值以选取该第一模式缓存器组,并对该第一模式缓存器组写入该第一数值或该第二数值。
4.根据权利要求1所述的测试存取端口电路,还包含:
一第一双向信号选择电路,耦接于该第一辅助数据缓存器组及该重置端;及
一第二模式缓存器组,耦接于该第一双向信号选择电路;
其中:
在一重置端输出模式下,当该控制器控制该第一测试数据缓存器组自该数据输出端输出一第一输出数据位时,该第一辅助数据缓存器组自该重置端输出一第二输出数据位;
该控制器还用以在该第二模式缓存器组中写入一第一数值以使该测试存取端口电路进入该重置端输入模式,并控制该第一双向信号选择电路自该重置端接收该第二输入数据位;及
该控制器还用以在该第二模式缓存器组中写入一第二数值以使该测试存取端口电路进入该重置端输出模式,并控制该第一双向信号选择电路自该重置端输出该第二输出数据位。
5.根据权利要求1或4所述的测试存取端口电路,还包含:
一第二辅助数据缓存器组;
一第二双向信号选择电路,耦接于该第二辅助数据缓存器组及该数据输入端;及
一第三模式缓存器组,耦接于该第二双向信号选择电路;
其中:
在一数据输入端输入模式下,该控制器控制该至少一测试数据缓存器组中的一测试数据缓存器组自该数据输入端接收一第三输入数据位;
在一数据输入端输出模式下,当该控制器控制该至少一测试数据缓存器组中的一第二测试数据缓存器组自该数据输出端输出一第三输出数据位或控制该第一测试数据缓存器组自该数据输出端输出该第一输出数据位时,使该第二辅助数据缓存器组自该数据输入端输出一第四输出数据位;
该控制器还用以在该第三模式缓存器组中写入一第一数值以使该测试存取端口电路进入该数据输入端输入模式,并控制该第二双向信号选择电路自该数据输入端接收该第三输入数据位;及
该控制器还用以在该第三模式缓存器组中写入一第二数值以使该测试存取端口电路进入该数据输入端输出模式,并控制该第二双向信号选择电路自该数据输入端输出该第四输出数据位。
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