[发明专利]使用多种测量技术的计量系统和方法

权利要求书

1.一种用于在化学气相沉积系统中检测外延生长结构的特性的装置，所述装置包括：

壳体；

初级单元，被配置为检测所述外延生长结构的第一特性；

次级单元，被配置为检测所述外延生长结构的第二特性，其中，所述第二特性与所述第一特性互补，

其中，所述初级单元和所述次级单元都布置在所述壳体中。

2.如权利要求1所述的装置，其中，所述壳体包括配置为耦接到导轨的接合特征部。

3.如权利要求1所述的装置，其中，所述初级单元选自由以下各项组成的组：发射率补偿的高温计、反射计和低温发射率补偿的高温计。

4.如权利要求1所述的装置，其中，所述次级单元选自由以下各项组成的组：偏转计、光谱反射计、高温计和发射率补偿的高温计。

5.一种用于在化学气相沉积系统中检测外延生长结构的特性的系统，所述系统包括：

化学气相沉积反应器，具有窗口；

导轨，邻近所述窗口布置在所述化学气相沉积系统上；以及

壳体，耦接到所述导轨，其中，所述壳体包括：

初级单元，被配置为通过所述窗口检测所述外延生长结构的第一特性；和

次级单元，被配置为通过所述窗口检测所述外延生长结构的第二特性，其中，所述第二特性与所述第一特性互补。

6.如权利要求5所述的系统，其中，所述壳体包括接合特征部并且可滑动地耦接到所述导轨。

7.如权利要求5所述的系统，其中，所述初级单元选自由以下各项组成的组：发射率补偿的高温计、反射计和低温发射率补偿的高温计。

8.如权利要求5所述的系统，其中，所述次级单元选自由以下各项组成的组：偏转计、光谱反射计、高温计和发射率补偿的高温计。

9.如权利要求5所述的系统，其中，所述系统包括多个壳体，所述多个壳体中的每一个包括被配置为检测互补特性的初级单元和次级单元。

10.如权利要求9所述的系统，其中，所述多个壳体中的每一个耦接到所述导轨，使得所述多个壳体中的一个或多个可以定位成通过所述窗口检测第一特性和第二特性，同时所述多个壳体中的另外的一个或多个可以远离所述窗口定位。

11.一种用于在化学气相沉积系统中检测外延生长结构的特性的方法，所述方法包括：

将壳体邻近所述化学气相沉积系统的窗口定位，所述壳体具有：

初级单元，被配置为通过所述窗口检测所述外延生长结构的第一特性；和

次级单元，被配置为通过所述窗口检测所述外延生长结构的第二特性，其中，所述第二特性与所述第一特性互补；

激活所述初级单元以检测所述第一特性；以及

激活所述次级单元以检测所述第二特性。

12.如权利要求11所述的方法，其中，所述初级单元选自由以下各项组成的组：发射率补偿的高温计、反射计和低温发射率补偿的高温计。

13.如权利要求11所述的方法，其中，所述次级单元选自由以下各项组成的组：偏转计、光谱反射计、高温计和发射率补偿的高温计。

14.如权利要求11所述的方法，其中，定位所述壳体包括沿着导轨滑动所述壳体，直到所述壳体邻近所述窗口。

15.如权利要求14所述的方法，还包括使所述壳体远离所述窗口滑动并且使第二壳体滑动至邻近所述窗口，其中，所述第二壳体包括：

三级单元，被配置为通过所述窗口检测所述外延生长结构的第三特征；以及

四级单元，被配置为通过所述窗口检测所述外延生长结构的第四特性，其中，所述第四特性与所述第三特性互补。

16.如权利要求15所述的方法，其中，在外延生长的第一阶段期间检测所述第一特性和所述第二特性，并且在外延生长的第二阶段期间检测所述第三特性和所述第四特性。