[发明专利]多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法

说明书

本发明提供了一种多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；继续生长多晶硅层，并调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。通过氯化氢气体，在一预设温度范围内消耗掉所述氧化硅层，然后二次生长(补偿)得到预设生长厚度(最终的)的多晶硅层，使多晶硅层中没有引入氧化硅层和较高热量，二次生长得到预设生长厚度的多晶硅层与未中断(一次性制作)的多晶硅层质量相同，解决了多晶硅层生长过程一旦发生异常被中断，多晶硅层的厚度达不到预设厚度，产品只能报废的问题，提高闪存的性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种多晶硅层的制作方法、闪存及其制作方法。

背景技术

在目前的半导体产业中，存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例，存储器中的闪存的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

对于闪存产品，制作字线多晶硅层是整个工艺流程中至关重要的制程，字线多晶硅层的厚度是闪存的关键指标，它决定着闪存器件性能的好坏，实际生产中，字线多晶硅层生长过程一旦发生异常被中断，字线多晶硅层的厚度达不到预设厚度，产品只能报废，影响闪存产品的性能和良率。

发明内容

本发明的一个目的为：在多晶硅层生长过程发生异常时，提供合适的制作(补偿)方法，进行多晶硅层再生长，直到多晶硅层生长达到预设厚度，提供质量合格的多晶硅层。

本发明的另一个目为：在闪存中多晶硅层生长过程发生异常时，提供合适的制作(补偿)方法，进行闪存中多晶硅层再生长，直到闪存中多晶硅层生长达到预设厚度，提高闪存的性能和良率。

为实现上述目的，本发明提供一种多晶硅层的制作方法，多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层，包括：

通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；

继续生长多晶硅层，调整多晶硅层生长时间，以达到预设厚度。

进一步的，所述预设温度范围为：680℃～720℃。

进一步的，所述氯化氢气体的流量为：300ml/s～500ml/s。

本发明还提供一种闪存的制作方法，包括以下步骤：

提供一衬底，所述衬底上形成有结构层，所述结构层中形成有第一沟槽；

在所述第一沟槽的侧壁上形成侧墙结构；

形成一隧穿氧化层，所述隧穿氧化层覆盖所述第一沟槽的底部、所述侧墙结构及所述结构层；

形成多晶硅层，所述多晶硅层填充所述第一沟槽，所述多晶硅层用作共享字线；所述多晶硅层生长过程中被中断，接触空气后形成氧化硅层；

通入氯化氢气体，在一预设温度范围内，所述氯化氢气体与所述氧化硅层反应，消耗掉所述氧化硅层；

继续生长所述多晶硅层，调整所述多晶硅层生长时间，以达到预设生长厚度。

进一步的，所述预设温度范围为：680℃～720℃。

进一步的，所述氯化氢气体的流量为：300ml/s～500ml/s。

进一步的，所述结构层包括：依次形成于所述衬底上的衬底氧化层、浮栅、ONO膜层、控制栅及第一氮化硅层。

进一步的，所述结构层还包括：形成于所述第一氮化硅层中且位于所述控制栅上的第一氧化硅层。