[发明专利]光激发式微型热红外线放射装置在审

专利信息
申请号: 201910822603.2 申请日: 2019-09-02
公开(公告)号: CN110891332A 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 谢正雄;廖怡钧;陈介羿;林忠正;杨呈尉;张启增 申请(专利权)人: 神匠创意股份有限公司;光磊科技股份有限公司
主分类号: H05B1/02 分类号: H05B1/02;H05B3/06
代理公司: 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人: 张雅军;史瞳
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 激发 式微 红外线 放射 装置
【权利要求书】:

1.一种光激发式微型热红外线放射装置,其特征在于,所述光激发式微型热红外线放射装置包含:

基板;

发光元件,设置于所述基板,并包括远离所述基板的出光侧;及

热红外线放射单元,设置于所述基板的对应所述发光元件处,并包括薄膜结构,所述薄膜结构具有紧邻所述发光元件的出光侧的光吸收膜层,所述光吸收膜层吸收所述发光元件发出的光线以升温放射热红外线。

2.根据权利要求1所述的光激发式微型热红外线放射装置,其特征在于:所述热红外线放射单元还包括设置于所述基板且形成容纳所述发光元件的空腔的基座结构,所述薄膜结构设置于所述基座结构且覆盖所述空腔及所述发光元件,并包括将所述光吸收膜层夹设于内的第一膜层及第二膜层。

3.根据权利要求2所述的光激发式微型热红外线放射装置,其特征在于:所述光吸收膜层的材质选自多晶硅、碳化硅及氮化镓的其中一者,所述第一膜层及所述第二膜层的材质选自氮化硅、碳化硅、氮化镓、氧化锆及氧化镁的至少一者。

4.根据权利要求2所述的光激发式微型热红外线放射装置,其特征在于:所述第一膜层及所述第二膜层于邻近所述光吸收膜层的外缘贯穿形成至少一个用于阻隔热传导的镂空部。

5.根据权利要求1所述的光激发式微型热红外线放射装置,其特征在于:所述光吸收膜层的厚度不小于0.7微米。

6.根据权利要求1所述的光激发式微型热红外线放射装置,其特征在于:所述发光元件为发光二极管晶粒或激光二极管晶粒。

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