[发明专利]基板制造方法、基板接合方法和半导体装置

权利要求书

1.一种基板制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在衬底上形成图案化的第一介质层，所述第一介质层包括第一开口和与第一开口相邻的第二开口；

在所述第一介质层上形成材料层，所述材料层包括金属材料，所述材料层覆盖所述第一介质层并填充所述第一开口和第二开口；

对所述材料层进行第一平坦化处理，以去除所述材料层在所述第一介质层的上表面上的部分，并形成在所述第一开口中的初始金属接合盘和在所述第二开口中的初始金属伪结构；

对于所述初始金属接合盘和所述初始金属伪结构进行第二平坦化处理，以形成第一金属接合盘，所述第一金属接合盘具有凸部。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中：

所述第二平坦化处理还使得由所述初始金属伪结构形成了金属伪结构，

所述凸部高于所述金属伪结构。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，其中：

所述第二开口包括多个彼此相邻的子开口；

所述金属伪结构包括多个由分别填充在所述多个子开口中的所述金属材料形成的金属填充物。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中所述金属伪结构被配置为下列中的一个或多个：

各所述金属填充物的横向尺寸远小于所述第一金属接合盘的横向尺寸；

所述金属伪结构至少部分地围绕所述第一金属接合盘；

各所述金属填充物至少部分地围绕所述第一金属接合盘；

各所述金属填充物彼此平行地设置；和

各所述金属填充物彼此同心地设置。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，其中：

在所述第二平坦化处理之后，所述第一金属接合盘的所述凸部具有下列中的至少一个：

曲面形状、曲率或穹顶状形状。

6.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，其中：

所述基板是半导体晶片。

7.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，其中：

所述凸部占据所述第一金属接合盘的80％或更大的面积。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的方法，其特征在于，其中：

所述金属材料包括铜或铜基合金。

9.一种基板接合方法，其特征在于，包括：

提供第一基板，所述第一基板是根据如权利要求1-8中任一项所述的方法制备的；

提供第二基板，所述第二基板具有设置在第二介质层中的第二金属接合盘；

通过将所述第一金属接合盘的凸部与所述第二金属接合盘彼此面对方式接合所述第一金属接合盘和第二金属接合盘，以接合所述第一基板和第二基板。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，接合所述第一金属接合盘和第二金属接合盘包括：

通过压接将所述第一金属接合盘的凸部与所述第二金属接合盘彼此面对方式接合所述第一金属接合盘和第二金属接合盘。