[发明专利]一种射频前端电路有效
申请号: | 201910822832.4 | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN110943751B | 公开(公告)日: | 2021-05-25 |
发明(设计)人: | 梁振;石磊;徐肯;杨寒冰;邓进丽 | 申请(专利权)人: | 广州粒子微电子有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40;H04B1/401 |
代理公司: | 北京中索知识产权代理有限公司 11640 | 代理人: | 胡大成 |
地址: | 510663 广东省广州*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 射频 前端 电路 | ||
1.一种射频前端电路,包括发射机电路和接收机电路,其特征在于:还包括匹配电路和第一电感(L1),所述的发射机电路和接收机电路共用第一电感(L1)和匹配电路,在发射模式下,信号依次经过发射机电路、第一电感(L1)和匹配电路后发送给片外电路,接收机模块断路;在接收模式下,信号依次经过匹配电路、第一电感(L1)和接收机电路,完成信号的接收,发射机电路断路;
所述的发射机电路包括DCDC变换器、第一三端开关、第二三端开关、第三三端开关、第一电阻(R1)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、PMOS管(PM2)、第三NMOS管(NM3)、第四NMOS管(NM4)和第五电容(C5);所述DCDC变换器的输入端作为发射机电路的第一输入端,所述DCDC变换器的输出端连接第一三端开关的有源端和PMOS管(PM2)的源极,PMOS管(PM2)的栅极连接第一电阻(R1)的一端,第一电阻(R1)的另一端连接第一三端开关的公共端;第一三端开关的无源端接地;PMOS管(PM2)的漏极连接第一电感(L1)的另一端;
第三NMOS管(NM3)的漏极连接第一电感(L1)的一端,第三NMOS管(NM3)的栅极连接第三电阻(R3)的一端,第三NMOS管(NM3)的源极连接第四NMOS管(NM4)的漏极;第三电阻(R3)的另一端连接第二三端开关的公共端,第二三端开关的有源端连接电源,第二三端开关的无源端接地;第四NMOS管(NM4)的栅极连接第四电阻(R4)的一端和第五电容(C5)的一端,第五电容(C5)的另一端作为发射机电路的第二输入端;第四电阻(R4)的另一端连接第三三端开关的公共端,第三三端开关的有源端连接偏置电压PA_bias,第三三端开关的无源端和第四NMOS管(NM4)的源极接地;
所述的发射机电路的第一输入端输入的是幅度信息,所述的发射机电路的第二输入端输入的是相位信息,所述相位信息和所述幅度信息通过电流合在一起,通过片外天线发射出去。
2.根据权利要求1所述的射频前端电路,其特征在于:所述的匹配电路包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和第一开关(S12),第一电容(C1)的一端作为匹配电路的一端连接到第一电感(L1)的一端,第一电容(C1)的另一端分别连接第二电容(C2)的一端和第一开关(S12)的一端并作为匹配电路的另一端连接到片外电路;第二电容(C2)的另一端接地;第一开关(S12)的另一端连接第三电容(C3)的一端,第三电容(C3)的另一端接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广州粒子微电子有限公司,未经广州粒子微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910822832.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:集成电路的制作方法
- 下一篇:一种便捷实用的机电机械操作台