[发明专利]一种射频前端电路有效

专利信息
申请号: 201910822832.4 申请日: 2019-09-02
公开(公告)号: CN110943751B 公开(公告)日: 2021-05-25
发明(设计)人: 梁振;石磊;徐肯;杨寒冰;邓进丽 申请(专利权)人: 广州粒子微电子有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/401
代理公司: 北京中索知识产权代理有限公司 11640 代理人: 胡大成
地址: 510663 广东省广州*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 射频 前端 电路
【权利要求书】:

1.一种射频前端电路,包括发射机电路和接收机电路,其特征在于:还包括匹配电路和第一电感(L1),所述的发射机电路和接收机电路共用第一电感(L1)和匹配电路,在发射模式下,信号依次经过发射机电路、第一电感(L1)和匹配电路后发送给片外电路,接收机模块断路;在接收模式下,信号依次经过匹配电路、第一电感(L1)和接收机电路,完成信号的接收,发射机电路断路;

所述的发射机电路包括DCDC变换器、第一三端开关、第二三端开关、第三三端开关、第一电阻(R1)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、PMOS管(PM2)、第三NMOS管(NM3)、第四NMOS管(NM4)和第五电容(C5);所述DCDC变换器的输入端作为发射机电路的第一输入端,所述DCDC变换器的输出端连接第一三端开关的有源端和PMOS管(PM2)的源极,PMOS管(PM2)的栅极连接第一电阻(R1)的一端,第一电阻(R1)的另一端连接第一三端开关的公共端;第一三端开关的无源端接地;PMOS管(PM2)的漏极连接第一电感(L1)的另一端;

第三NMOS管(NM3)的漏极连接第一电感(L1)的一端,第三NMOS管(NM3)的栅极连接第三电阻(R3)的一端,第三NMOS管(NM3)的源极连接第四NMOS管(NM4)的漏极;第三电阻(R3)的另一端连接第二三端开关的公共端,第二三端开关的有源端连接电源,第二三端开关的无源端接地;第四NMOS管(NM4)的栅极连接第四电阻(R4)的一端和第五电容(C5)的一端,第五电容(C5)的另一端作为发射机电路的第二输入端;第四电阻(R4)的另一端连接第三三端开关的公共端,第三三端开关的有源端连接偏置电压PA_bias,第三三端开关的无源端和第四NMOS管(NM4)的源极接地;

所述的发射机电路的第一输入端输入的是幅度信息,所述的发射机电路的第二输入端输入的是相位信息,所述相位信息和所述幅度信息通过电流合在一起,通过片外天线发射出去。

2.根据权利要求1所述的射频前端电路,其特征在于:所述的匹配电路包括第一电容(C1)、第二电容(C2)、第三电容(C3)和第一开关(S12),第一电容(C1)的一端作为匹配电路的一端连接到第一电感(L1)的一端,第一电容(C1)的另一端分别连接第二电容(C2)的一端和第一开关(S12)的一端并作为匹配电路的另一端连接到片外电路;第二电容(C2)的另一端接地;第一开关(S12)的另一端连接第三电容(C3)的一端,第三电容(C3)的另一端接地。

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