[发明专利]冷区域判断方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

权利要求书

1.一种冷区域判断方法，用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体抹除单元，所述多个实体抹除单元中的每一个实体抹除单元具有多个实体程序化单元，所述冷区域判断方法包括：

记录分别对应于多个逻辑单元的多个逻辑更新次数；

根据所述多个逻辑更新次数计算分别对应所述多个实体抹除单元的多个参考更新次数；

根据所述多个逻辑单元中的多个第一逻辑单元所分别对应的所述多个逻辑更新次数中的多个第一逻辑更新次数计算参考值，其中所述第一逻辑单元为最近执行写入操作的所述多个逻辑单元；以及

根据所述参考值以及所述多个参考更新次数判断所述多个实体抹除单元中属于冷区域的至少一第一实体抹除单元。

2.根据权利要求1所述的冷区域判断方法，其中记录分别对应于所述多个逻辑单元的所述多个逻辑更新次数的步骤包括：

当根据多个逻辑子单元中的第一逻辑子单元执行第一写入操作时，更新所述多个逻辑单元中所述第一逻辑子单元所属的第二逻辑单元的写入次数；

当所述第二逻辑单元的所述写入次数等于门槛值时，更新所述多个逻辑更新次数中所述第二逻辑单元的第二逻辑更新次数，并且将所述第二逻辑单元的所述写入次数设为零。

3.根据权利要求2所述的冷区域判断方法，其中所述门槛值为一个逻辑单元所具有的逻辑子单元的数量。

4.根据权利要求1所述的冷区域判断方法，其中根据所述多个逻辑更新次数计算分别对应所述多个实体抹除单元的所述多个参考更新次数的步骤包括：

根据所述多个逻辑单元中的多个第三逻辑单元的多个第三逻辑更新次数，计算所述多个实体抹除单元中的第二实体抹除单元的参考更新次数，其中所述第二实体抹除单元中的实体程序化单元映射所述多个第三逻辑单元，其中所述第二实体抹除单元的参考更新次数为所述多个第三逻辑更新次数的平均值。

5.根据权利要求1所述的冷区域判断方法，其中根据所述多个逻辑单元中的所述多个第一逻辑单元所分别对应的所述多个逻辑更新次数中的所述多个第一逻辑更新次数计算所述参考值的步骤包括：

根据最近执行的多个第二写入操作所对应的所述多个第一逻辑单元，计算所述多个第一逻辑单元的所述多个第一逻辑更新次数的平均值以作为所述参考值。

6.根据权利要求1所述的冷区域判断方法，其中根据所述参考值以及所述多个参考更新次数判断所述多个实体抹除单元中属于所述冷区域的所述第一实体抹除单元的步骤包括：

分别计算所述参考值与所述多个参考更新次数的多个差值；以及

根据所述多个差值从所述多个实体抹除单元中选择所述第一实体抹除单元以将所述第一实体抹除单元识别为属于所述冷区域。

7.根据权利要求6所述的冷区域判断方法，其中所述多个差值中对应于所述第一实体抹除单元的第一差值的数量为i，当所述多个差值以由大到小的顺序排列时，所述第一差值是位于所述顺序中的前i个差值，其中i为正整数。