[发明专利]用于电子器件的双面微纳复合预成型焊片及低温互连方法有效

专利信息
申请号: 201910823706.0 申请日: 2019-09-02
公开(公告)号: CN112440025B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 刘磊;王文淦;邹贵生 申请(专利权)人: 清华大学
主分类号: B23K35/02 分类号: B23K35/02;B23K35/40;C23C14/04;C23C14/28
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 姚亮;张德斌
地址: 10008*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 用于 电子器件 双面 复合 成型 低温 互连 方法
【权利要求书】:

1.一种用于电子器件的双面微纳复合预成型焊片,其包括中间层和位于中间层两侧的多孔微纳薄膜;其中,所述多孔微纳薄膜为金属薄膜或合金薄膜;

所述多孔微纳薄膜具有由微米和/或纳米尺寸的颗粒相互接触或熔融结合形成适度烧结颈而构成的骨架结构;

所述多孔微纳薄膜中的微纳颗粒的尺寸为10纳米-20微米。

2.根据权利要求1所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述多孔微纳薄膜中的微纳颗粒保留球形或椭球形的外观特征。

3.根据权利要求1所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述中间层的厚度为5-200微米。

4.根据权利要求3所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述中间层的厚度为10-50微米。

5.根据权利要求1或3所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述中间层的材料为金属或合金。

6.根据权利要求5所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述金属包括银、铜、金、钯、铂或铁,所述合金包括因瓦合金或者银、铜、金、钯、铂和铁中的两种以上的金属组成的合金。

7.根据权利要求1所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述多孔微纳薄膜的致密度为5-85%。

8.根据权利要求2所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述多孔微纳薄膜的致密度为5-85%。

9.根据权利要求1、2、7、8中任一项所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述多孔微纳薄膜的材料包括铂、铼、钯、铱、铑、锆、铜、铝、钛、镍、银、金、锡和铟中的一种或者两种以上的金属组成的合金。

10.根据权利要求1、2、7、8中任一项所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述多孔微纳薄膜的厚度为20-80μm。

11.根据权利要求9所述的双面微纳复合预成型焊片,其中,所述多孔微纳薄膜的厚度为20-80μm。

12.权利要求1-11任一项所述的用于电子器件的双面微纳复合预成型焊片的制备方法,其是通过脉冲激光沉积的方式在中间层的两侧表面形成多孔微纳薄膜,进而得到所述用于电子器件的双面微纳复合预成型焊片。

13.根据权利要求12所述的制备方法,其中,所述脉冲激光沉积的靶基距为15-250mm。

14.根据权利要求12所述的制备方法,其中,所述脉冲激光沉积的激光平均功率为25W-2000W。

15.根据权利要求13所述的制备方法,其中,所述脉冲激光沉积的激光平均功率为25W-2000W。

16. 根据权利要求12-15任一项所述的制备方法,其中,所述脉冲激光沉积的沉积气压为0.02 Pa-1.5kPa。

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