[发明专利]一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法

说明书

本发明公开了一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，包括依次进行的以下步骤：一、制作正面保护层；二、蓝膜切割和裂片；三、制作背面及侧面保护层；四、形成扇出结构。本发明为高密度集成电路芯片的正面、侧面及背面添加环氧树脂钝，在环氧树脂层上形成扇出结构，避免了切片过程以及后期封装流程中对半导体芯片四周暴露部份的损伤，且该方法无需考虑封装步骤以前的工艺流程。本发明适用于半导体器件封装技术领域。

技术领域

本发明属于半导体器件封装技术领域，用于对芯片表面暴露的硅进行密封保护，具体地说是一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法。

背景技术

随着移动电子产品趋向轻巧、多功能、低功耗发展，为了在更小的封装面积下容纳更多的引脚数，发展出晶原级芯片规模封装（WLCSP）。晶圆级芯片规模封装工艺中所有封装操作均以芯片形式完成，该工艺完成的封装芯片表面上直接具有电介质，薄膜金属和焊料凸点，无需额外的封装。然而，晶原级芯片规模封装的基本结构具有活性表面，其表面具有聚合物涂层和凸起，裸露的硅暴露在集成电路芯片的表面，因此在后期封装流程使芯片表面暴露的硅容易收到损坏。

发明内容

本发明的目的是提供一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，令封装后的集成电路芯片暴露在外的硅表面受到保护，解决芯片表面暴露的硅容易损坏的问题。

一种高密度集成电路芯片扇出封装的制作方法，包括如下步骤：

一、制作正面保护层

将已经制作好的、含有若干个芯片的晶圆的正面进行镍金化镀以加厚电极表面的金属镀层，然后将晶圆正面涂上环氧树脂，制成晶圆的正面保护层；

二、蓝膜切割和裂片

使用贴膜机对含有若干个芯片的晶圆的正面及背面进行贴膜，然后对晶圆进行切割和裂片，形成单体芯片；

三、制作背面及侧面保护层

将所有单体芯片的背面朝上置于涂有胶膜层的第二载体上，在单体芯片的背面以及它们之间的间隙中填充环氧树脂，制作形成单体芯片的背面及侧面保护层，得到含有若干个单体芯片的重构芯片；

四、形成扇出结构

在重构芯片的环氧树脂层上制作扇出结构，使用磨片机对重构芯片的正面进行打磨，然后使用划片机和裂片机进行切割和裂片，得到正面、侧面和背面均受环氧树脂层保护的具有扇出结构的单体芯片。

作为限定，所述步骤一中制作正面保护层的过程包括以下具体步骤：

（一）将已经制作好的、含有若干个芯片的晶圆进行正面镍金化镀，制作生成晶圆加厚的金属镀层；

（二）将晶圆正面朝上置于载物台上的第一载体上，在晶圆的正面涂环氧树脂覆盖整个晶圆的正面，形成环氧树脂层；

（三）对晶圆进行加热，固化其正面的环氧树脂层，生成晶圆的正面保护层。

作为第二种限定，所述步骤二中蓝膜切割和裂片的过程包括以下具体步骤：

一）将晶圆的背面朝上放置在贴膜机中心的小台面上，抽真空将晶圆固定，使用贴膜机在晶圆的背面贴上第一蓝膜，使用置于贴膜机上的第一晶圆卡环向下将第一蓝膜压紧在晶圆的背面，再用滚轮将第一蓝膜和晶圆压紧，接着切开第一蓝膜，取下第一晶圆卡环，得到背面贴有第一蓝膜的晶圆；

二）将晶圆的正面朝上置于载物台的切片载体上，抽真空将晶圆背面的第一将蓝膜固定，再将划片机置于载物台上，调整好切割参数后开始切割晶圆；

所述切割参数包括切割速度、切割路径和切割深度，所述切割深度小于单个晶圆的厚度；