[发明专利]存储器控制器及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201910824100.9 申请日: 2019-09-02
公开(公告)号: CN111208937B 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 郑相焄 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 代理人: 赵永莉;李青
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 控制器 及其 操作方法
【说明书】:

本发明涉及一种处理清除请求的存储器控制器,该存储器控制器包括:请求消息控制器,响应于主机的请求生成命令或控制信号;延迟时间确定器,当请求是清除请求时,基于在该清除请求之前最后接收的清除请求与该清除请求之间接收的写入请求的数量来生成延迟信息;以及响应消息控制器,基于延迟信息来生成对应于该清除请求的清除响应。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年11月22日提交的申请号为10-2018-0145784的韩国专利申请的优先权,其全部公开内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本公开总体涉及一种电子装置,且更特别地,涉及一种存储器控制器及其操作方法。

背景技术

存储装置在诸如计算机、智能电话或智能平板的主机装置的控制下存储数据。存储装置包括诸如硬盘驱动器(HDD)的用于将数据存储在磁盘上的装置,或者诸如固态驱动器(SSD)或存储卡的用于将数据存储在半导体存储器,即非易失性存储器上的装置。

存储装置可包括用于存储数据的存储器装置和用于控制存储器装置的存储器控制器。存储器装置分为易失性存储器装置或非易失性存储器装置。非易失性存储器装置的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM(PROM)、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪速存储器、相变RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、电阻式RAM(RRAM)以及铁电RAM(FRAM)等。

发明内容

实施例提供了一种用于处理清除请求的存储器控制器及其操作方法。

根据本公开的一个方面,提供了一种存储器控制器,包括:请求消息控制器,被配置成响应于主机的请求生成命令或控制信号;延迟时间确定器,被配置成当请求是当前清除请求时,基于在当前清除请求之前最后接收的清除请求与所接收的清除请求之间的写入请求的数量来生成延迟信息;以及响应消息控制器,被配置成基于延迟信息来生成对应于所接收的清除请求的清除响应。

根据本公开的另一方面,提供了一种存储器控制器,包括:延迟时间确定器,被配置成从主机接收请求,并且当主机的请求是清除请求时,基于清除请求与清除请求之前最后接收的清除请求之间的写入请求的数量,生成关于清除响应的延迟时间的延迟信息;以及响应消息控制器,被配置成基于延迟信息,延迟生成对应于清除请求的清除响应。

根据本公开的又一方面,提供了一种操作存储器控制器的方法,该存储器控制器基于来自主机的请求消息来控制存储器装置的操作,该方法包括:从主机接收清除请求,基于在当前清除请求之前最后接收的清除请求与所接收的清除请求之间的写入请求的数量来生成延迟信息,并且基于延迟信息来确定对应于所接收的清除请求的清除响应的延迟时间。

根据本公开的又一方面,提供了一种操作存储器装置的方法,该方法包括:接收一个或多个写入请求,然后接收清除请求,在接收写入请求的同时,缓冲相应的写入命令,响应于清除请求将写入命令清除到存储器装置中以响应于写入请求来执行写入操作,并且当写入命令或写入请求的数量大于或等于阈值时,将对应于清除请求的清除响应的输出延迟对应于该数量的时间量。

附图说明

现在将参照附图更全面地描述各个实施例;然而,本发明的方面和特征可以不同的形式、配置或布置来实现。因此,本发明不限于本文阐述的实施例。相反地,提供这些实施例以使本公开是彻底且充分的,并且将实施例的范围全面地传达给本领域技术人员。此外,在整个说明书中,对“实施例”、“另一实施例”等的参考不一定仅针对一个实施例,并且对任何这种短语的不同参考不一定针对相同的实施例。

在附图中,为了说明清楚,可放大尺寸。将理解的是,当元件被称为在两个元件“之间”时,该元件可以是这两个元件之间的唯一元件,或者也可存在一个或多个中间元件。相同的附图标记始终表示相同的元件。

图1是示出根据本公开的实施例的存储装置的框图。

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