[发明专利]电容薄膜及其双面金属堆栈工艺

说明书

本发明公开了电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，电容薄膜双面金属堆栈工艺包括步骤S1：放卷辊将卷起的薄膜进行放卷，步骤S2：放卷后的薄膜通过辊筒传输到第一冷却辊进行附着铝层，步骤S3：第一冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第二冷却辊进行附着铝层，步骤S4：第二冷却辊通过若干辊筒将薄膜传输到第三冷却辊进行附着铝层，步骤S5：第三冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第四冷却辊进行附着铝层，步骤S6：第四冷却辊通过辊筒将薄膜传输到收卷辊进行收卷。本发明公开的电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其在真空状态下通过一面双排的方式加大铝层附着厚度。

技术领域

本发明属于电容堆栈工艺，具体涉及一种电容薄膜双面金属堆栈工艺和一种电容薄膜。

背景技术

电子元件是信息产业的基础，而电容器是多种电子元件中使用面最广、产量占电子元件总产量50％以上的电子元件。作为三大主要产品的陶瓷电容器、电解电容器和有机薄膜电容器的产量又占到电容器总产量的90％以上。包含有引线微型电容器、无引线片式电容器、集成电容器、纳米电容器等的有机薄膜电容器中微型薄膜电容器又占了半壁江山。薄膜电容器按结构可分为卷绕式、叠片式和内串式，按电极可分为金属膜(铝膜、铝锌膜)、金属箔和膜箔复合结构。

目前，市场上现有的电容薄膜制作材料有ITO(氧化铟锡)、银浆，但是却存在以下问题：

1.双面金属堆栈厚度不均匀，合格率低；

2.工艺复杂，效率低；

3.金属厚度不达标；

4.手工丝印或蚀刻成本高。

发明内容

本发明的主要目的在于提供电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其在真空状态下通过一面双排的方式加大铝层附着厚度。

本发明的主要目的在于提供电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其使用卷对卷连续机械化金属堆栈。

本发明的主要目的在于提供电容薄膜及其双面金属堆栈工艺，其膜材在不出真空舱体的状态下来回正面一次性附着。

为达到以上目的，本发明提供一种电容薄膜双面金属堆栈工艺，包括以下步骤：

步骤S1：放卷辊将卷起的薄膜进行放卷；

步骤S2：放卷后的薄膜通过辊筒传输到第一冷却辊进行附着铝层；

步骤S3：第一冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第二冷却辊进行附着铝层；

步骤S4：第二冷却辊通过若干辊筒将薄膜传输到第三冷却辊进行反面附着铝层；

步骤S5：第三冷却辊通过辊筒将薄膜传输到第四冷却辊进行附着铝层；

步骤S6：第四冷却辊通过辊筒将薄膜传输到收卷辊进行收卷。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，第一冷却辊和第二冷却辊的下方分别设有铝丝蒸发装置，铝丝蒸发装置用于蒸发铝丝，薄膜传输到第一冷却辊和第二冷却辊时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜膜面。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，第三冷却辊和第四冷却辊的下方分别设有铝丝蒸发装置，铝丝蒸发装置用于蒸发铝丝，薄膜传输到第三冷却辊和第四冷却辊时蒸发的铝丝冷却后附着在薄膜的另一膜面。

作为上述技术方案的进一步优选的技术方案，步骤S4具体实施为以下步骤：

步骤S4.1：薄膜的膜面紧贴第二冷却辊使薄膜远离第二冷却辊的膜面进行附着铝层；

步骤S4.2：第二冷却辊根据若干辊筒的位置分布将薄膜反面传输到第三冷却辊，薄膜附着铝层后的膜面紧贴第三冷却辊；

步骤S4.3：薄膜远离第三冷却辊的未附着铝层的膜面进行附着铝层。