[发明专利]一种片上集成窄线宽反射器波导及其反射器

权利要求书

1.一种片上集成窄线宽反射器波导，其特征在于，包括：单模波导、梯形波导和多模波导，所述单模波导、所述梯形波导和所述多模波导依次连接，且所述多模波导上依次以串联的方式制作有相移反对称布拉格光栅和均匀布拉格光栅；

其中，所述多模波导支持横向电场基模和一阶模；所述相移反对称布拉格光栅的相移值为0～2π；

其中，所述相移反对称布拉格光栅的相移采用以下任意一种方式实现：

在反对称布拉格光栅中间插入相移；

采用平面波导摩尔光栅，即两列具有微小光栅周期差的波导光栅。

2.根据权利要求1所述的一种片上集成窄线宽反射器波导，其特征在于，所述相移反对称布拉格光栅和所述均匀布拉格光栅制作于多模波导的表面、侧壁或者上包层上。

3.根据权利要求1所述的一种片上集成窄线宽反射器波导，其特征在于，所述相移反对称布拉格光栅和所述均匀布拉格光栅通过切趾实现，所述切趾方法为以下至少一种：

改变光栅占空比，根据切趾函数，使光栅占空比沿波导方向变化；

改变光栅宽度，根据切趾函数，使光栅宽度沿波导方向变化；

使用两列光栅，使两列光栅的相位差沿波导方向变化。

4.根据权利要求1所述的一种片上集成窄线宽反射器波导，其特征在于，所述相移反对称布拉格光栅和所述均匀布拉格光栅通过取样光栅和等效切趾取样布拉格光栅实现；其中，所述等效切趾取样布拉格光栅实现方法为以下至少一种：

改变取样结构的占空比，根据切趾函数，使取样结构的占空比沿波导方向变化；

改变取样光栅宽度，根据切趾函数，使光栅宽度沿波导方向变化；

使用两列取样光栅，使两列取样光栅的取样结构的相位差沿波导方向变化。

5.根据权利要求1或2所述的一种片上集成窄线宽反射器波导，其特征在于，所述相移反对称布拉格光栅的相移值为π。

6.一种片上集成窄线宽反射器，其特征在于，包括：由底部到顶部依次连接的衬底、下包层和上包层，在所述下包层和上包层之间制作有权利要求 1～5任意一项所述片上集成窄线宽反射器波导。

7.根据权利要求6所述的一种片上集成窄线宽反射器，其特征在于，还包括：温度控制电路，所述温度控制电路安装于波导的上包层，用于调节所述片上集成窄线宽反射器的温度，进而调节所述片上集成窄线宽反射器反射波长。

8.根据权利要求6或7所述的一种片上集成窄线宽反射器，其特征在于，片上集成窄线宽反射器制作在硅、二氧化硅、氮化硅、聚合物和III-V族材料的外延片上，作为单片集成或混合集成的半导体激光器的外腔反馈器件。