[发明专利]图像传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种图像传感器的制作方法，包括:

提供一衬底，所述衬底上设置有介质层，所述衬底和介质层中周期分布有间隔设置的浅沟道隔离区和转移区，所述浅沟道隔离区和转移区均沿厚度方向从所述衬底中延伸至所述介质层，在所述衬底中位于所述转移区的两侧分别设置有感光区和读取区；

刻蚀去除部分厚度的所述转移区，使剩余的所述转移区在所述厚度方向上低于所述浅沟道隔离区；

去除所述介质层；

形成多晶硅层，所述多晶硅层填充于相邻的所述浅沟道隔离区之间。

2.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述多晶硅层包括传输门区域，所述传输门区域覆盖所述转移区、部分感光区和部分读取区，所述传输门区域控制所述感光区中产生的电荷转移到所述读取区。

3.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，刻蚀去除部分厚度的所述转移区，具体包括:

形成图形化的光阻层，所述图形化的光阻层覆盖所述介质层和所述浅沟道隔离区，且具有位于所述转移区上方的光阻窗口；以所述图形化的光阻层为掩膜，刻蚀去除部分厚度的所述转移区；在垂直于所述衬底的截面上，所述光阻窗口的截面宽度大于或等于所述转移区的截面宽度。

4.如权利要求1所述的图像传感器的制作方法，其特征在于，所述浅沟道隔离区和所述转移区的材质为氧化硅。

5.一种图像传感器，其特征在于，包括:

衬底；

多晶硅层，所述多晶硅层覆盖所述衬底；

浅沟道隔离区，所述浅沟道隔离区间隔设置，每一所述浅沟道隔离区沿厚度方向贯穿所述多晶硅层和部分深度的所述衬底；

其中，在所述衬底中，相邻的所述浅沟道隔离区之间依次分布有感光区、转移区和读取区，所述转移区在所述厚度方向上低于所述浅沟道隔离区，所述多晶硅层覆盖所述感光区、转移区和读取区；通过所述多晶硅层实现所述感光区的电荷向所述读取区转移；所述转移区为氧化层。

6.如权利要求5所述的图像传感器，其特征在于，所述多晶硅层包括传输门区域，所述传输门区域覆盖所述转移区、部分感光区和部分读取区，所述传输门区域控制所述感光区中产生的电荷转移到所述读取区。

7.如权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述感光区分布有光敏元件。

8.如权利要求7所述的图像传感器，其特征在于，在所述感光区中，沿所述衬底的厚度方向上堆叠分布有第一光电二极管和第二光电二极管，所述第一光电二极管位于所述第二光电二极管的上方。

9.如权利要求8所述的图像传感器，其特征在于，在所述感光区中，堆叠分布的所述第一光电二极管和所述第二光电二极管靠近所述浅沟道隔离区的一侧分布有垂直电荷转移区。

10.如权利要求5至9任意一项所述的图像传感器，其特征在于，所述读取区连接像素电路，所述像素电路用于感测所述读取区中的电荷引起的电压变化。