[发明专利]一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）氧化去除表面的有机沾污：

首先，用超纯水冲洗碳化硅单晶抛光片；

然后，在紫外光照射下，使用产生的O₃进行清洗碳化硅单晶抛光片；

最后，再使用超纯水冲洗漂洗处理；

2）振荡清洗：

将氧化后的碳化硅单晶抛光片，浸入至氨水、双氧水及超纯水的混合溶液中，加兆声波振荡清洗；

最后，再使用超纯水冲洗漂洗处理；

3）溶解氧化层：

将步骤2）清洗后的碳化硅单晶抛光片，浸入至盐酸、双氧水和超纯水的混合溶液中，加超声波振荡清洗；

最后，再使用超纯水冲洗漂洗处理；

4）去除微小颗粒、金属沾污，同时在表面形成钝化层：

将步骤3）清洗后的碳化硅单晶抛光片，浸入至氢氟酸、双氧水、超纯水的混合溶液中上下抛动清洗，碳化硅单晶抛光片Si面表面全部浸入至混合溶液中；

最后，再使用超纯水冲洗漂洗处理。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，步骤1）所述紫外光为184.9nm的紫外光，使用产生的O₃进行清洗碳化硅单晶抛光片10min-30min。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，步骤1）用超纯水冲洗碳化硅单晶抛光片的时间为10min-25min，温度为室温。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，步骤1）-4）中，使用超纯水冲洗漂洗处理的时间为5min-25min，温度为室温。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，所述步骤2）的氨水、双氧水及超纯水的混合溶液中，三者的体积比例为氨水：双氧水：超纯水=0.2-0.4:1:5，兆声波频率为800～1200kHz，振荡清洗时间为5min-15min，振荡清洗温度为70℃-90℃；其中氨水为浓度37%的氨水，双氧水为浓度35%的双氧水。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，所述步骤3）的盐酸、双氧水和超纯水的混合溶液中，三者的体积比例为盐酸：双氧水：超纯水=0.5-1:1:6，超声波频率为20-90 kHz，振荡清洗时间为5min-15min，振荡清洗温度为70℃-90℃，其中盐酸为浓度36%的盐酸，双氧水为浓度35%的双氧水。

7.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，所述步骤4）的氢氟酸、双氧水和超纯水的混合溶液中，三者的体积比例为氢氟酸：双氧水：超纯水=0.5-1:1:100，清洗时间为5min-15min，清洗温度为70℃-90℃，其中氢氟酸为浓度38%的氢氟酸，双氧水为浓度35%的双氧水。

8.根据权利要求1所述的一种碳化硅单晶抛光片衬底的最终清洗方法，其特征在于，所述超纯水为18.25兆欧的超纯去离子水。