[发明专利]芯片的键合方法及系统

权利要求书

1.一种芯片的键合方法，其特征在于，包括：

获取若干晶圆的良率；

将良率大于第一设定值的若干晶圆进行晶圆级键合；

在剩余的所述晶圆中，将良率大于第二设定值的晶圆作为衬底晶圆，良率小于或等于所述第二设定值的晶圆作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上。

2.如权利要求1所述的芯片的键合方法，其特征在于，在切割所述划片晶圆之前，还获取了所述晶圆上不良芯片/合格芯片的位置分布，根据所述衬底晶圆和/或划片晶圆上不良芯片/合格芯片的位置分布将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片。

3.如权利要求2所述的芯片的键合方法，其特征在于，当所述衬底晶圆待键合区的芯片数量小于或等于所述划片晶圆待键合区的芯片数量时，将所述划片晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上的步骤包括：

根据所述衬底晶圆上不良芯片/合格芯片的位置分布从若干所述衬底晶圆上选取键合区域；

根据所述键合区域从若干所述划片晶圆上切出与所述键合区域形状及尺寸均相同的键合块；

将所述键合块键合至所述键合区域上。

4.如权利要求3所述的芯片的键合方法，其特征在于，若所述划片晶圆上没有与所述键合区域形状及尺寸均相同的键合块，将所述划片晶圆切割成单个芯片，并将单个芯片中的合格芯片键合至所述衬底晶圆的合格芯片上。

5.如权利要求2所述的芯片的键合方法，其特征在于，当所述衬底晶圆待键合区的芯片数量大于所述划片晶圆待键合区的芯片数量时，将所述划片晶圆切成键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上的步骤包括：

根据所述划片晶圆上不良芯片/合格芯片的位置分布从若干所述划片晶圆上切出所述键合块；

根据所述衬底晶圆上不良芯片/合格芯片的位置分布从若干所述衬底晶圆中选取与所述键合块形状及尺寸均相同的键合区域；

将所述键合块键合至所述键合区域上。

6.如权利要求5所述的芯片的键合方法，其特征在于，若所述衬底晶圆没有与所述键合块形状及尺寸均相同的键合区域，将所述键合块及所述划片晶圆剩余的部分均切割成单个芯片，并将单个芯片中的合格芯片键合至所述衬底晶圆的合格芯片上。

7.如权利要求3-6中任一项所述的芯片的键合方法，其特征在于，所述键合区域及所述键合块由合格芯片构成；或者，所述键合区域及所述键合块均包括合格芯片和不合格芯片，且相键合的键合区域及键合块上的合格芯片和不合格芯片的位置均相同。

8.如权利要求3或5所述的芯片的键合方法，其特征在于，将所述键合块键合至所述键合区域上之后，将所述划片晶圆剩余的部分切割成单个芯片，并将单个芯片中的合格芯片键合至所述衬底晶圆的合格芯片上。

9.如权利要求1所述的芯片的键合方法，其特征在于，所述第一设定值大于所述第二设定值，且所述第一设定值大于或等于95%，所述第二设定值大于或等于90%。

10.一种芯片的键合方法，其特征在于，包括：

获取若干晶圆的良率；

将若干所述晶圆进行两两预匹配并得到预匹配晶圆组的良率，将良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合；

在剩余的所述晶圆中，将良率大于第四设定值的晶圆作为衬底晶圆，良率小于或等于所述第四设定值的晶圆作为划片晶圆，将所述划片晶圆切成包含多个芯片的键合块和/或切成单个芯片后键合至所述衬底晶圆上。

11.如权利要求10所述的芯片的键合方法，其特征在于，将良率大于第五设定值的若干晶圆进行两两预匹配以得到预匹配晶圆组的良率，再将良率大于第三设定值的预匹配晶圆组进行晶圆级键合。