[发明专利]薄膜封装层、有机发光二极管器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910825784.4 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110690356A | 公开（公告）日： | 2020-01-14 |
| 发明（设计）人： | 孙佳佳 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机发光二极管器件 薄膜封装层 无机层 有机层 制作 层叠设置 纳米材料 阵列基板 发光层 高密封性 高散热性 使用寿命 散热 保证 | ||
1.一种薄膜封装层，其特征在于，包括：
第一无机层；
有机层，设于所述第一无机层上；以及
第二无机层，设于所述有机层上；
其中，所述有机层内包含一维管状纳米材料。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述有机层和所述第二无机层交叠设置至少一次。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述一维管状纳米材料包括氮化硼纳米管。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述一维管状纳米材料的重量百分比小于5wt％。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的有机发光二极管器件，其特征在于，所述一维管状纳米材料的轴向导热系数大于100W/mK。
6.一种薄膜封装层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
制作第一无机层步骤，制作一第一无机层；
制作有机层步骤，在所述第一无机层上制作一有机层，其中所述有机层内包含一维管状纳米材料；以及
制作第二无机层步骤，在所述有机层上制作一第二无机层。
7.根据权利要求6所述的薄膜封装层的制作方法，其特征在于，还包括步骤：
交叠的设置所述有机层和所述第二无机层步骤，在所述第二无机层上再次制作所述有机层，并在所述有机层上再次制作所述第二无机层；该步骤被执行至少一次。
8.根据权利要求6所述的薄膜封装层的制作方法，其特征在于，所述一维管状纳米材料的重量百分比小于5wt％。
9.根据权利要求6所述的薄膜封装层的制作方法，其特征在于，制作所述有机层的涂布方式包括喷墨打印、旋涂、丝网印刷中的任一种；所述有机层的固化方式包括紫外线固化或加热固化。
10.一种有机发光二极管器件，其特征在于，包括：
阵列基板；
发光层，设于所述阵列基板上；以及
权利要求1-5中任一项所述的薄膜封装层，设于所述阵列基板上且完全覆盖所述发光层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
