[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器和电子设备在审
申请号: | 201910825808.6 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN111010133A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 杨清瑞;庞慰;张孟伦 | 申请(专利权)人: | 天津大学;诺思(天津)微系统有限责任公司 |
主分类号: | H03H9/17 | 分类号: | H03H9/17;H03H9/02;H03H3/02;H03H9/54 |
代理公司: | 北京金诚同达律师事务所 11651 | 代理人: | 汤雄军 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 声波 谐振器 及其 制造 方法 滤波器 电子设备 | ||
1.一种体声波谐振器,包括:
基底;
声学镜;
底电极;
顶电极;
压电层,
其中:
声学镜、底电极、压电层、顶电极在基底的厚度方向重叠的区域为谐振器的有效区域;
所述谐振器还包括用于底电极的刻蚀阻挡层,所述刻蚀阻挡层设置于所述底电极的顶面;且
所述刻蚀阻挡层的内端在谐振器的俯视图中位于有效区域内而与所述顶电极重叠,所述顶电极的端部基于所述重叠而形成台阶结构。
2.根据权利要求1所述的谐振器,其中:
所述刻蚀阻挡层包括第一金属层与第二金属层,所述第一金属层与第二金属层以第一金属层在下而第二金属层在上的方式彼此层叠的设置在底电极上,且所述第一金属层的内端在径向方向上比第二金属层的内端更靠近有效区域的中心;
所述谐振器的底电极电连接层在有效区域的外侧与第二金属层直接电连接。
3.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述第一金属层的内端与所述第二金属层的内端在谐振器的俯视图中均与顶电极的端部重叠;
所述台阶结构为双台阶结构。
4.根据权利要求3所述的谐振器,其中:
所述谐振器还包括自第一金属层和/或第二金属层沿所述有效区域的至少一部分同层延伸的金属延伸部;
所述顶电极在谐振器的俯视图中与所述金属延伸部重叠的部分形成有台阶延伸结构。
5.根据权利要求2所述的谐振器,其中:
所述第一金属层的内端在谐振器的俯视图中与顶电极的端部重叠,而第二金属层的内端处于有效区域的外侧;
所述顶电极的端部形成单台阶结构。
6.根据权利要求5所述的谐振器,其中:
所述谐振器还包括:自第一金属层在有效区域内的部分,和/或自第一金属层和第二金属层在有效区域内的部分,沿所述有效区域的至少一部分同层延伸的金属延伸部;
所述顶电极在谐振器的俯视图中与所述金属延伸部重叠的部分形成有台阶延伸结构。
7.根据权利要求2-6中任一项所述的谐振器,其中:
第一金属层的厚度在的范围内;和/或。
第二金属层的厚度在的范围内。
8.根据权利要求2-6中任一项所述的谐振器,其中:
第一金属层为高声阻抗材料;
第二金属层为低电损耗材料。
9.根据权利要求1所述的谐振器,其中:
所述刻蚀阻挡层包括非金属层,所述非金属层设置在底电极的顶侧,且所述非金属层的内端位于有效区域内而与所述顶电极重叠,所述顶电极的端部基于所述重叠而形成台阶结构,且所述谐振器的底电极电连接层在径向方向上与所述非金属层邻接。
10.根据权利要求9所述的谐振器,其中:
所述谐振器的底电极电连接层与底电极直接电连接。
11.根据权利要求9所述的谐振器,其中:
所述刻蚀阻挡层还包括设置于底电极与非金属层之间的第三金属层,第三金属层与底电极电连接,所述底电极电连接层在有效区域的外侧与所述第三金属层直接电连接。
12.根据权利要求11所述的谐振器,其中:
所述第三金属层的内端位于有效区域内,所述第三金属层的内端在谐振器的俯视图中在径向方向上比所述非金属层的内端更远离有效区域的中心,基于在径向方向上错开的所述第三金属层的内端以及所述非金属层的内端,所述顶电极的端部形成有双台阶结构。
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