[发明专利]一种电容隔离型三相电力电子变压器在审
申请号: | 201910825819.4 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110492765A | 公开(公告)日: | 2019-11-22 |
发明(设计)人: | 赵聪;李子欣;胡钰杰;李耀华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | H02M7/217 | 分类号: | H02M7/217 |
代理公司: | 11251 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人: | 关玲<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 级联型变流器 电容器 三相四线制 方波电压 输出电压 变流器 高隔离 无极性 三相电力电子变压器 电力电子变压器 方波电压频率 三相滤波电感 正常运行过程 高频电容器 输出占空比 双闭环控制 电能变换 电容隔离 高频电感 交流端口 三相相序 占空比 隔离 | ||
1.一种电容隔离型三相电力电子变压器,其特征在于,所述的电容隔离型三相电力电子变压器由三相滤波电感L、三相级联型变流器、三相无极性高隔离电容器C、无极性高隔离电容器Cn、三相高频电感Lr和一个三相四线制变流器组成;所述的电容隔离型三相电力电子变压器的电网侧连接端子A、B和C连接至三相滤波电感L的一端,三相滤波电感L的另一端连接至三相级联型变流器的连接端子a1、b1和c1,三相级联型变流器的连接端子a1、b1和c1连接至三相无极性高隔离电容器C的一端,三相无极性高隔离电容器C的另一端连接至三相高频电感Lr的一端,三相高频电感Lr的另一端连接至三相四线制变流器的连接端子a2、b2和c2,三相级联型变流器星接点N连接至无极性高隔离电容器Cn的一端,无极性高隔离电容器Cn的另一端连接至三相四线制变流器连接端子n。
2.如权利要求1所述的电容隔离型三相电力电子变压器,其特征在于,所述的三相级联型变流器由三个级联型变流器构成,每个级联型变流器由m个功率模块SM1、SM2、…、SMm级联构成,m为正整数;所述三相级联型变流器第k个功率模块SMk的连接端子T1与第k-1个功率模块SMk-1的连接端子T2连接,第k个功率模块SMk的连接端子T2与第k+1个功率模块SMk+1的连接端子T1连接,2≤k≤m-1,k为正整数。
3.如权利要求2所述的电容隔离型三相电力电子变压器,其特征在于,所述的功率模块包含第一半导体开关Q1、第二半导体开关Q2、第三半导体开关Q3、第四半导体开关Q4、直流电容Csm及T1和T2两个连接端子;连接端子T1分别连接至第一半导体开关Q1的一端和第二半导体开关Q2的一端,第一半导体开关Q1的另一端连接至直流电容Csm的正极,第二半导体开关Q2的另一端连接至直流电容Csm的负极;连接端子T2分别连接至第三半导体开关Q3的一端和第四半导体开关Q4的一端,第三半导体开关Q3的另一端连接至直流电容Csm的正极,第四半导体开关Q4的另一端连接至直流电容Csm的负极。
4.如权利要求1所述的电容隔离型三相电力电子变压器,其特征在于,所述的三相四线制变流器包含第一半导体开关S1、第二半导体开关S2、第三半导体开关S3、第四半导体开关S4、第五半导体开关S5、第六半导体开关S6、第七半导体开关S7、第八半导体开关S8,以及直流电容Cdc;连接端子a2分别连接至第一半导体开关S1的一端和第二半导体开关S2的一端,第一半导体开关S1的另一端连接至直流电容Cdc的正极,第二半导体开关S2的另一端连接至直流电容Cdc的负极;连接端子b2分别连接至第三半导体开关S3的一端和第四半导体开关S4的一端,第三半导体开关S3的另一端连接至直流电容Cdc的正极,第四半导体开关S4的另一端连接至直流电容Cdc的负极;连接端子c2分别连接至第五半导体开关S5的一端和第六半导体开关S6的一端,第五半导体开关S5的另一端连接至直流电容Cdc的正极,第六半导体开关S6的另一端连接至直流电容Cdc的负极;连接端子n分别连接至第七半导体开关S7的一端和第八半导体开关S8的一端,第七半导体开关S7的另一端连接至直流电容Cdc的正极,第八半导体开关S8的另一端连接至直流电容Cdc的负极。
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